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    自从Intel公司在2012年的Ivy Bridge架构处理器率先在22nm节点量产3D晶体管工艺之后,包括三星、TSMC台积电、UMC联电等主要半导体公司都在向FinFET鳍式晶体管工艺迈进,AMD分家出来的Globalfoundries(简称GF)最终也选择了三星的14nm FinFET工艺。不过GF原来师从IBM SOI工艺,现在又收购了IBM的晶圆厂,所以他们也不会放弃原有的设计,现在又推出了22nm FD-SOI(全耗尽型-绝缘体上硅)工艺,2016年下半年试产,2017年下半年量产。

    有过印象的玩家可能还记得,AMD自己有晶圆厂的时候,虽然制程工艺还是要落后Intel一到两代,但AMD使用了IBM的SOI(绝缘体上硅)工艺,该技术非常适合制造高性能处理器,被认为比同级工艺先进半代甚至一代,AMD的FX处理器目前依然使用32nm SOI工艺制造。


    FD-SOI工艺与FinFET工艺对比

    半导体制造工艺有多种选择,此前就一直有FinFET与FD-SOI两种分歧,虽然现在看起来FinFET工艺成了主流选择,但FD0-SOI工艺也不是没有可取之处,它制造出来的芯片性能更好,功耗更低,而且工艺也没这么复杂。之前中芯国际联合高通、华为及比利时微电子中心研发14nm FinFET工艺时,也有过专业认识建议中国公司可以考虑从FD-SOI之类的工艺上寻找突破点,FinFET工艺上我们已经晚了很多年了。

    再回到我们的话题上,如今GF早从AMD分家了,之前他们在制造工艺上一直磕磕绊绊,后来索性直接选择了三星的14nm FinFET授权,进展倒是顺利多了。去年他们还收购了IBM的晶圆厂,不过IBM的制造工艺比较独特,所以GF也不能完全放弃FD-SOI工艺,毕竟他们之前就熟悉这种工艺了。

    现在GF正式宣布他们将向业界提供22FDX工艺,这也是全球首个22nm FD-SOI工艺,它能提供22nm FinFET工艺级别的性能及功耗,但制造成本与28nm工艺接近,主要用于IoT物联网、主流移动芯片、RF射频及网络应用等电路中。

    根据GF公司的说法,他们的22FDX工艺可以提供业界最低的0.4V运行电压(PS:作为对比,TSMC的28nm HP工艺运行电压是0.85-0.9V,而集成电路的动态功耗跟电压的平方成正比),因此功耗非常低。此外,他们的22FDX工艺核心面积比28nm工艺减少20%,光罩减少10%,比FinFET工艺更可以减少50%的光刻层。

    此外,根据不同的需求,GF会提供不同的22FDX工艺,主要有22FD-ULP、22FD-UHP、22FD-ULL、22FD-UFA、22FD-RFA等等,,其中ULP工艺电压0.4V,比28nm工艺节能70%,适用于从超低功耗移动芯片到RF射频等不同电路制造。

    至于工艺实际量产时间,GF表示2016年下半年22nm FD-SOI工艺会试产,规模量产时间预计要到2017年下半年。我们要知道的是,2017年Intel、三星及TSMC可能都会推出10nm FinFET工艺了。

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    • 超能网友小黑屋 2017-02-10 23:05    |  加入黑名单

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    • 游客  2015-07-15 10:09

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    • 游客  2015-07-14 17:57

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    • 超能网友一代宗师 2015-07-14 17:47    |  加入黑名单

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    • 游客  2015-07-14 17:33

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    • 游客  2015-07-14 17:31

      超能网友 博士

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    • 超能网友博士 2015-07-14 15:28    |  加入黑名单

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    • 游客  2015-07-14 15:12

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    • 超能网友终极杀人王 2015-07-14 14:00    |  加入黑名单

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    • 游客  2015-07-14 13:46

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    • 游客  2015-07-14 12:19

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    • 我匿名了  2015-07-14 12:13

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