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    美光宣布使用新型1α制造工艺生产的DRAM开始批量出货,这是目前世界上最先进的DRAM制造技术。1α制造工艺最初会用于8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4内存生产上,随着时间的推移,未来将用于所有类型的DRAM,有望显着降低DRAM成本。

    到目前为止,美光已将其DRAM生产的很大一部分转移到了1Z nm节点,该节点既提供高位密度(较低的单位成本)又提供高性能。美光表示,从利润率和产品组合角度来说,现在的感觉相当好。美光的1α制造工艺预计将比1Z(成熟的成品率)将内存密度提高40%,这将相应降低生产者的单位成本。 

    此外,该技术的功耗降低了15%,而且性能更高。美光1α制造工艺其中很重要的一点是,印证了仅靠光刻技术的改进,不足以使DRAM制造成本降低。像上一代产品一样,美光的1α节点继续使用6F2位线设计。

    与行业内很多企业不同,美光不打算在短期内使用EUV光刻技术来生产存储芯片。美光接下来的三个DRAM工艺节点将继续使用深紫外线(DUV)光刻技术,不过会不断进行评估,时机成熟的时候会适当引入。

    即使没有EUV光刻技术,美光也承诺在下一代存储设备中提高性能和功耗,尽管难度越来越大。

    1α制造工艺首先会在中国台湾的桃园和台中的工厂中使用,最先出货的是面向超算市场的DDR4内存以及英睿达 (Crucial) 消费级DRAM产品。美光同时也已开始向移动客户提供LPDDR4样片进行验证,将在2021年内推出基于该技术的更多新产品。

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