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    作为目前全球最大的晶圆代工厂,台积电(TSMC)并没有满足于现状,在工艺研发上依然非常进取。近日,台积电重申,有信心其N2,N3和N4工艺将按计划推出,保持先进节点工艺上的领先优势。其最新的CapEx计划,很大程度上表明了对未来前景的信心。

    据Anandtech报道,台积电今年300亿美元的资本预算中,约有80%将用于扩大先进技术的产能。有分析师指,其中大部分资金将用于扩大N5产能,届时产能将提到至每月11万至12万片晶圆(WSPM)。同时,其资本支出的10%将用于先进的封装和掩模制造,另外10%将用于特殊技术开发,包括成熟节点的定制版本。台积电CEO魏哲家表示,N5的批量生产已经进入第二年了,产量要比最初计划的要好,预计2021年将贡献约20%的晶圆代工收入,而且未来几年的需求将继续增长。

    台积电计划今年下半年N4工艺进入风险生产阶段,并在2022年投入批量生产。与N5工艺相比,N4工艺可以提供更多的PPA(功率、性能、面积)优势,但保持了相同的设计规则、设计基础设施、SPICE模拟程序和IP。由于N4工艺进一步扩大了EUV光刻工具设备的使用范围,还减少了掩模数量、工艺步骤、风险和成本。

    到了2022年,台积电将推出全新的N3工艺,该工艺将继续使用FinFET,但预计将提供一整套PPA改进方案。台积电承诺N3工艺会将性能提高10%-15%,或者降低25%-30%的功耗。根据结构的不同,新节点还将使晶体管密度提高1.1到1.7倍。台积电在N3工艺上将进一步增加EUV层的数量,同时会继续使用DUV光刻技术。由于不需要重新设计新一代电子设计自动化(EDA)工具和开发全新的IP,相对于三星基于GAAFET/MBCFET的3GAE,可能更具竞争优势。

    魏哲家表示,N3工艺的风险生产将在2021年内启动,目标是在2022年下半年实现量产,推出后将成为PPA和晶体管技术中最先进的代工技术。N3工艺将是台积电在N5工艺后的又一个完整节点,将使用FinFET晶体管结构为客户提供最佳的技术成熟度,性能和成本。

    在台积电看来,N5工艺和N3工艺都将成为台积电实现大规模量产以及长时间使用的节点工艺。

    Gate-all-around FETs(GAAFET)仍是台积电发展路线图的一部分,预计会在N3以后的工艺上应用。目前台积电正处于下一代材料和晶体管结构的探索阶段,这些材料和晶体管结构将在未来许多年内使用。此外,台积电的探索性研发工作集中在2nm工艺节点、3D晶体管、新存储器和low-R interconnect等领域,为未来的许多技术平台打下坚实的基础。

    目前台积电正在扩大Fab 12晶圆厂的规模,和提高其研发能力,这里负责研发3nm、2nm甚至更先进的制造工艺。

    台积电相信,其everyone's foundry的战略使其在规模、市场份额和销售方面进一步增长。同时,台积电还期望继续保持技术领先的地位,这对于其增长至关重要。台积电副总裁兼首席财务官黄文德表示,预计2021年晶圆代工行业的增长率约为16%,台积电将有20%左右的增长,超越行业水平。

    台积电拥有强大的技术路线图,每年都在推出改进的前沿工艺节点,以可预测的规划为客户提供技术改进。同时,台积电知道如何与拥有尖端工艺技术的对手竞争,现阶段英特尔代工服务(IFS)也不能造成直接的威胁。

    分析师普遍对台积电持乐观的态度,预计在未来一段时间内,在N3和N5工艺节点上,将不会有竞争对手可以提供类似的晶体管密度和产能,台积电可以继续保持领先。

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    • 超能网友一代宗师 2021-04-30 08:25    |  加入黑名单

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    • 超能网友教授 2021-04-28 21:03    |  加入黑名单

      超能网友 终极杀人王

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      2021-04-28 20:31 已有1次举报
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    • 超能网友终极杀人王 2021-04-28 20:31    |  加入黑名单

      超能网友 教授

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    • 超能网友一代宗师 2021-04-28 17:22    |  加入黑名单

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    • 超能网友教授 2021-04-28 13:45    |  加入黑名单

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    • 超能网友终极杀人王 2021-04-28 13:44    |  加入黑名单

      超能网友 博士

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    • 超能网友博士 2021-04-28 12:13    |  加入黑名单

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