三星在今年6月末宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。三星表示，与原来采用FinFET的5nm工艺相比，初代3nm GAA制程节点在功耗、性能和面积（PPA）方面有不同程度的改进，其面积减少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。到了第二代3nm芯片，面积减少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。
虽然三星看似在3nm制程节点上先行一步，但实际生产上并非一帆风顺。据ctee报道，与之前的4/5nm工艺一样，三星在3nm GAA工艺生产上同样遇到了挫折，良品率仅为20%。正是由于三星在4/5nm工艺上糟糕的良品率，才迫使高通这样的大客户将旗舰SoC订单转投到台积电（TSMC）。
为了克服生产上遇到的重重障碍，传言三星选择与美国的Silicon Frontline Technology合作，以提高3nm GAA工艺的良品率。至于为什么会选择这家公司，据称是其通过ESD静电及相关技术，提高了晶圆的良品率，似乎是个理想的合作伙伴。
至于是否有实际收益，还要留意未来几个月三星的晶圆代工情况，看看是否有客户愿意下订单采用三星的先进工艺。有消息指出，如果三星的计划取得成效，高通可能会重新选择三星，在一些SoC上采用双代工厂的做法，以便更好地控制产能和成本。
lyahehehehe一代宗师 2022-11-22 22:46 | 加入黑名单
虽然在意料之内，但还是想说三星真拉
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下穿穿教授 2022-11-22 13:58 | 加入黑名单
阿美不是很想把三星教好
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neoarm27教授 2022-11-22 12:52 | 加入黑名单
这就很三星
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Adonis教授 2022-11-22 10:05 | 加入黑名单
高通，一声叹息。丫的，三星又不能用了，这样还怎么省成本赚钱，还怎么坑手机厂商和用户！mmp，韩国棒子靠不住啊！
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