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    近日在比利时安特卫普举行的ITF World 2023上,英特尔技术开发总经理Ann Kelleher概述了英特尔在几个关键领域的最新发展,其中之一便是英特尔未来将采用的堆叠式CFET晶体管架构。这是英特尔首次向公开介绍这种新型晶体管设计,不过没有提及具体的量产日期或者时间表。

    在2021年的“英特尔加速创新:制程工艺和封装技术线上发布会”上,英特尔确认了其Intel 20A工艺上,将引入采用Gate All Around(GAA)设计的RibbonFET晶体管架构,以取代自2011年推出FinFET晶体管架构。新技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。据TomsHardware报道,Ann Kelleher称RibbonFET将会在明年亮相。

    英特尔还展示了下一代GAA设计的堆叠式CFET晶体管架构,允许堆叠8个纳米片,是RibbonFET使用的4个纳米片的两倍,从而增加了晶体管密度。CFET晶体管将n和p两种MOS器件相互堆叠在一起,以实现更高的密度。目前英特尔正在研究两种类型的CFET,包括单片式和顺序式,似乎未确定最后采用哪一种,或者是否还会有其他类型设计出现。

    大概到2032年,晶体管将进化到5埃米,CFET晶体管架构的类型会发生变化不是什么意外的事情。英特尔这次只是概述了其晶体管技术的大概发展路径,并没有做太多详细的分享,以后应该会有更多细节信息公布。

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