英特尔介绍新的堆叠式CFET晶体管架构：下一代GAA技术

近日在比利时安特卫普举行的ITF World 2023上，英特尔技术开发总经理Ann Kelleher概述了英特尔在几个关键领域的最新发展，其中之一便是英特尔未来将采用的堆叠式CFET晶体管架构。这是英特尔首次向公开介绍这种新型晶体管设计，不过没有提及具体的量产日期或者时间表。

在2021年的“英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会”上，英特尔确认了其Intel 20A工艺上，将引入采用Gate All Around（GAA）设计的RibbonFET晶体管架构，以取代自2011年推出FinFET晶体管架构。新技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。据TomsHardware报道，Ann Kelleher称RibbonFET将会在明年亮相。

英特尔还展示了下一代GAA设计的堆叠式CFET晶体管架构，允许堆叠8个纳米片，是RibbonFET使用的4个纳米片的两倍，从而增加了晶体管密度。CFET晶体管将n和p两种MOS器件相互堆叠在一起，以实现更高的密度。目前英特尔正在研究两种类型的CFET，包括单片式和顺序式，似乎未确定最后采用哪一种，或者是否还会有其他类型设计出现。

大概到2032年，晶体管将进化到5埃米，CFET晶体管架构的类型会发生变化不是什么意外的事情。英特尔这次只是概述了其晶体管技术的大概发展路径，并没有做太多详细的分享，以后应该会有更多细节信息公布。