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    继今年六月份推出速率达到了4800MT/s的96GB大容量DDR5 RDIMM后,美光在近日公布了基于32Gb单片芯片的128GB DDR5 RDIMM内存,速率进一步提升至8000MT/s,以更好地满足数据中心和云环境中各种关键任务应用的性能需求,包括人工智能(AI)、内存数据库(IMBD)以及各种需要多核多线程计数的生产力场景。

    该款128GB DDR5 RDIMM内存采用美光业界领先的1β(1-beta)技术,与竞争对手的3DS硅通孔(TSV)产品相比,具有以下提升点:

    • 比特密度提高45%以上

    • 能效提升高达24%

    • 延迟最多降低16%

    • AI训练性能提升高达28%

    同时,美光32Gb DDR5内存解决方案采用全新的芯片架构,以实现业界领先的阵列效率和最密集的单片DRAM芯片。电压域和刷新管理功能有助于优化电力输送网络,提供市场急需的能效表现。此外,美光还优化了芯片尺寸的长宽比,从而提高32Gb大容量DRAM芯片的制造效率。美光的128GB RDIMM计划于2024年在开始推出4800MT/s、5600MT/s 和6400MT/s的型号,而8000MT/s的型号会稍后一段时间。

    AMD和Intel的高管都对美光新款DDR5 RDIMM内存表现出浓厚兴趣,并纳入了下一代服务器平台的合作规划当中。

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    • RainMax教授 2023-11-10 11:09    |  加入黑名单

      双面才能做到128啊
      单面20颗,双面40颗,40x32/8=160GB,然后加上编码和校验损耗。

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