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关于 美光 的消息

美光宣布量产232层QLC NAND闪存,将供应给客户端和数据中心产品

美光宣布,已开始量产232层QLC NAND闪存,并已经在选定的关键SSD中发货。除了消费客户端产品外,还会向企业存储客户及OEM厂商提供对应的产品,比如Micron 2500 NVMe SSD。

美光带来适用于智能手机的LPDDR5X新方案:速率保持9.6Gbps,功耗降低4%

去年10月,美光推出了使用最新1β(1-beta)工艺节点生产的LPDDR5X内存,容量高达16GB,速率也达到了9.6 Gbps,相比前代产品的峰值带宽提高了12%。

美光推出车规级4150AT:全球首款四端口SSD

美光宣布,推出车规级4150AT,这是全球首款四端口SSD,能够与多达四个SoC连接,为软件定义的智能汽车集中存储。美光表示,4150AT SSD结合了市场领先的功能,比如单路输入/输出虚拟化(SR-IOV)、PCIe 4.0接口和坚固耐用的汽车级别设计,为智能汽车生态系统提供了数据中心级别的灵活性和强大功能。

美光内存产能受地震影响,停止相关产品的报价

据TrendForce集邦咨询研报,受4月3日中国台湾地区花莲地震影响,美光在中国台湾新北林口和台中的厂区仍在进行停机评估,需要几天时间才能恢复正常。美光也在震后发布公告称所有在台员工安然无恙,目前正在评估地震对供应链的影响,停止有关产品的报价,评估完成后将会和客户沟通产品交付情况。

美光西安封装和测试工厂扩建工程启动:引入全新产线,制造更广泛的产品组合

去年6月,美光宣布未来几年内对其西安的封装测试工厂投资逾43亿元人民币。其中包括收购力成半导体在西安的封装设备,还计划在美光西安工厂加建新厂房,并引进全新且高性能的封装和测试设备。

美光展示256GB的DDR5-8800:MCRDIMM内存模块,功耗约20W

上周美光在英伟达GTC 2024上,展示了单条256GB的DDR5-8800内存,属于MCRDIMM模块。这是针对英特尔下一代服务器产品设计的,比如代号Granite Rapids的至强可扩展服务器处理器。

美光2024年及2025年大部分HBM产能已被预订,制造需要消耗更多晶圆

美光目前在高带宽存储器(HBM)市场处于相对劣势,但随着手握英伟达的供应协议,供应用于H200的HBM3E,凭借工艺上的优势,情况看起来正在迅速发生变化。美光正磨拳擦掌,大有大规模抢夺HBM市场的态势。

美光公布2024财年第二财季财报:重新实现盈利,同比大幅增长57.7%

美光公布了2024财年第二财季财报(截至2023年2月2日),季度营收为58.2亿美元,相比于上一个财季的47.3亿美元有所增长,环比增长了23%,也高于上一财年同期的36.9亿美元,同比增长了57.7%;净利润约为7.93亿美元,上一个财季净亏损为12.34亿美元,上一财年同期净亏损为23.12亿美元;每股摊薄收益为0.71美元,上一个财季每股摊薄亏损为1.12美元;运营现金流为12.2亿美元,上一个财季为14亿美元,上一财年同期为3.43亿美元。

美光凭借工艺优势抢夺HBM3E市场,已成功吸引英伟达新款AI GPU订单

在人工智能(AI)和高性能计算(HPC)的影响下,近两年HBM产品发展逐渐加速,也推动着存储器厂商的收入增长。作为英伟达高带宽存储器合作伙伴,SK海力士目前在HBM市场的处于领导地位,大量供应HBM3用于英伟达的各款人工智能芯片。

美光委任Robert Swan为董事会成员,曾担任英特尔CFO和CEO

美光宣布,委任前英特尔首席执行官Robert“Bob”Swan为董事会成员。美光表示,Robert Swan在半导体、技术和工业领域拥有杰出的职业生涯,目前担任Andreessen Horowitz的运营合伙人,为成长型投资组合公司提供建议。

HBM低良品率影响产量,美光在英伟达HBM3E资格测试中领先

目前英伟达为人工智能(AI)和高性能计算(HPC)应用销售的芯片比业内其他企业都要多,这些高性能计算卡需要大量HBM类芯片,如果想保持这种状态,就需要稳定的供应。为了更妥善且健全的供应链管理,同时为了保证下一代产品的供应,英伟达规划加入更多的供应商,去年末三星、SK海力士和美光都参与到英伟达下一代AI GPU的资格测试中。

英睿达Pro系列DDR5-6000 32GB套装预售:美光新款超频版内存,首发899元

美光在2022年改变了消费市场的销售策略,选择将重点放在英睿达品牌上,结束了Ballistix/铂胜品牌内存的生产和销售。不过美光并没有放弃自有品牌内存,2023年就推出了英睿达品牌的Pro系列内存,涵盖了DDR4和DDR5产品,进一步拓展了产品线。

美光推出紧凑封装型UFS 4.0移动解决方案:基于232层3D NAND闪存,最高1TB

美光去年推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案,称可以为智能手机提供业界最强性能,包括快速启动、应用程序启动和视频下载,并在下半年开始批量生产。这是其首个基于232层3D TLC NAND闪存的移动解决方案,也是世界首个使用六平面NAND架构的UFS 4.0存储产品。

美光宣布量产24GB的HBM3E,将用于英伟达H200

美光宣布,已开始批量生产HBM3E,将用于英伟达H200,该GPU计划在2024年第二季度开始发货。美光表示,这一里程碑让其处于业界的最前沿,以行业领先的HBM3E性能和能效为人工智能(AI)解决方案提供支持。

美光发布英睿达Pro系列DDR5-6000 32GB内存套装,以及T705 PCIe 5.0 SSD

美光宣布,带来两款英睿达品牌的存储新品,分别是单条容量为16GB的Crucial Pro系列DDR5-6000内存,另外还有T705 PCIe 5.0 SSD。前者之前已经推出了单条容量为24GB的产品,后者也被曝光过。

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