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关于 美光 的消息

美光发布9550系列数据中心PCIe 5.0 SSD:针对AI应用优化,最大提供30.72TB

美光宣布,推出9550系列数据中心PCIe 5.0 SSD。美光表示,这是目前全球最快的数据中心SSD,专为管理需要极高速度、可扩展性和能效的关键工作负载而构建,必然人工智能(AI)、以性能为中心的数据库、在线事务处理(OLTP)和高频交易等。

长江存储在美国起诉美光,指控对方侵犯其11项专利

近日,长江存储(YMTC)在美国加州北部地区的地方法院对美光提起诉讼,指控对方侵犯其11项专利,涉及3D NAND闪存及DRAM产品,要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器产品,并支付相关的专利使用费。

英睿达P310发布:美光首款M.2 2230 PCIe 4.0 SSD

美光宣布,旗下专注于消费类存储产品的英睿达(Crucial)品牌推出P310,这也是其首款M.2 2230 PCIe 4.0 SSD,将SSD带到了最小尺寸的M.2规格上。新产品可以兼容流行的手持游戏设备,比如Valve的Steam Deck掌机,或者是迷你PC和超轻薄笔记本电脑,像微软Surface Pro 8/9这样空间有限的轻薄设备,在不牺牲性能的前提下,轻松存储更多游戏和数据密集型内容。

美光DDR5 MRDIMM内存出样:单条容量最高256G,仅兼容英特尔至强6处理器

今年3月份的时候,美光在英伟达GTC 2024大会上展出了专为AI与HPC 场景打造的DDR5 MRDIMM内存,而在近日,美光在官网上出样了DDR5 MRDIMM内存产品,单条容量最高可达256G。不过在平台兼容性上,美光的DDR5 MRDIMM内存目前仅兼容英特尔至强6处理器,并未知晓后续兼容平台如何。

明年HBM产量或实现翻倍:三星、SK海力士和美光都在努力提升产能

随着人工智能(AI)技术的快速发展,高带宽存储器(HBM)产品的销量也在节节攀升。由于HBM产品具备较高的附加值,使得三星、SK海力士和美光三大存储器制造商之间的竞争变得愈加激烈。虽然各个存储器供应商不断提升HBM的产能,但是仍然难以满足市场的需求,价格也是水涨船高。

美光声称GDDR7能把游戏帧率提高30%,特别是光追和光栅负载

在下一代显卡即将到来的时候,SK海力士、美光和三星都展示了自己的GDDR7显存,目前来看美光的表现相对出色,他们的GDDR7不仅拥有业界最高的位密度,而且还带来了多项改进,美光声称他们的GDDR7显存和GDDR6相比能让游戏性能提升30%。

美光公布2024财年第三财季财报:存储产品涨价带动收入攀升,同比增长81.5%

美光公布了2024财年第三财季财报(截至2024年5月30日),季度营收为68.1亿美元,相比于上一个财季的58.2亿美元有所增长,环比增长了17%,也高于上一财年同期的37.5亿美元,同比增长了81.5%;净利润约为3.32亿美元,上一个财季净利润为7.93亿美元,上一财年同期净亏损为14.30亿美元;每股摊薄收益为0.3美元,上一个财季每股摊薄收益为0.72美元;运营现金流为24.8亿美元,上一个财季为12.2亿美元,上一财年同期为2400万美元。

美光正在试产1γ工艺芯片,目标2025年量产EUV DRAM

美光已开始采用1γ(1-gamma)工艺试产DRAM芯片,并计划明年进入大批量生产阶段。直到目前为止,美光所有的存储芯片都完全依赖于DUV光刻设备,反观DRAM领域主要的竞争对手三星和SK海力士,都投资了更为昂贵的EUV光刻设备。美光通过标准的DUV多重曝光,在1α和1β工艺上开发出具有性能和成本竞争力的DRAM芯片,而切换到EUV技术可以进一步提高制程节点的经济性。

美光台中工厂因高压气体泄漏引起火灾:没有人员伤亡,仍在正常运行

近日,美光位于中国台湾台中的工厂发生火灾,随后当地消防部门派出了数十名消防员前去,并在现场组织了临时的应急小组,工人也立即被疏散。工厂内的自动灭火系统发挥了作用,使得火势很快被控制。据现场的报告,起火的原因是供应室的高压气瓶泄漏,具体情况还在调查当中,暂时没有收到人员伤亡的报告。

美光在全球范围内加大HBM3E生产,或选择马来西亚建造新工厂

此前美光曾表示,希望到2025年,能占据20%至25%的HBM市场份额,力争提高到与传统DRAM相当的水平。对于具体如何去实现,美光并没有详细的说明,不过进一步扩大产能是必然的。

HBM供应短缺促使美光扩张产能,希望进一步提升市场占有率

此前有报道称,美光将在日本广岛县建造一座新的DRAM工厂,投资金额在6000亿至8000亿日元之间,计划2026年初开工建设,目标2027年末完成工厂主体建筑建设和第一批工具的安装。其中将安装极紫外(EUV)光刻设备,以1-gamma(1γ)工艺生产DRAM芯片。

SK海力士计划2025Q1量产GDDR7,晚于三星和美光

今年3月,JEDEC发布了JES239 Graphics Double Data Rate 7,即GDDR7标准,可提供两倍于GDDR6的带宽,以满足未来图形、游戏、计算、网络和人工智能应用对高内存带宽不断增长的需求。显然这也是为下一代显卡做好准备,传闻英伟达的GeForce RTX 50系列GPU将支持GDDR7。

美光宣布已提供GDDR7样品:速率32Gbps,将用于下一代GPU

美光宣布,推出业界最高比特密度的下一代GDDR7显存芯片样品,将为人工智能(AI)和游戏GPU提供更高水平的图形性能。美光表示,新款GDDR7提供了更高的性能,吞吐量提升了33%,响应时间缩短了20%,非常适用于当下流行的生成式AI工作负载。与现有的GDDR6和GDDR6X相比,在FHD、2K和4K分辨率下,使用GDDR7的显卡预计能将帧数提高30%以上。

美光介绍新款HBM3E产品:1β工艺制造,8/12层堆叠,24/36GB容量

近期美光发布了一系列内存和存储产品组合,以加速人工智能(AI)的发展。其中新款的HBM3E产品备受外界关注,美光早些时候已经宣布开始批量生产HBM3E,将用于英伟达H200,计划在2024年第二季度开始发货。

美光计划在日本建造新的DRAM工厂,预计2027年末投入运营

据TrendForce报道,美光计划在日本广岛县建造一座新的DRAM工厂,预计投资金额在6000亿至8000亿日元之间(约合人民币277.06亿至369.41亿元)。美光计划2026年初开工建设,目标2027年末投入运营,其中将会安装极紫外(EUV)光刻设备,将以1-gamma(1γ)工艺生产DRAM芯片。

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