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中芯国际出样40nm ReRAM存储芯片，比NAND快一千倍

以紫光为代表的中国公司正在斥资数百亿美元投入NAND、DRAM等等存储芯片市场，2018年将推出国产3D NAND闪存，意图实现国家要求的芯片自给率要求。不过在NAND领域，中国公司研发、生产已经晚了20多年，更大的希望还是在在新一代存储技术上。中芯国际（SMIC）日前正式出样40nm工艺的ReRAM（非易失性阻变式存储器）芯片，更先进的28nm工艺版很快也会到来，这种新型存储芯片比NAND闪存快一千倍，耐用一千倍。