关于 ReRAM 的消息
基于ReRAM技术的SSD要来了，超快读写速度、超高密度
现在的SSD虽然可以通过堆叠Die层数来增大单颗粒容量，但随着层数越多，所需要的硅穿孔数目越多，制造难度直线上升，不仅良品率无法保证、生产成本也高，一些拥有深厚技术的存储厂商早就开始探索新一代非易失性存储器了。除了Intel那个未知原理的3D XPoint闪存以外，还有大热的ReRAM，这是一种以电阻值来记录数据的非易失性存储器，具有单位面积容量大、读写速度快特性，而对此研究了好些年的Mobiveil联合Crossbar将会推出基于ReRAM技术的SSD，为存储市场增添新活力。
中芯国际出样40nm ReRAM存储芯片，比NAND快一千倍
以紫光为代表的中国公司正在斥资数百亿美元投入NAND、DRAM等等存储芯片市场，2018年将推出国产3D NAND闪存，意图实现国家要求的芯片自给率要求。不过在NAND领域，中国公司研发、生产已经晚了20多年，更大的希望还是在在新一代存储技术上。中芯国际（SMIC）日前正式出样40nm工艺的ReRAM（非易失性阻变式存储器）芯片，更先进的28nm工艺版很快也会到来，这种新型存储芯片比NAND闪存快一千倍，耐用一千倍。
索尼携手Micron公布ReRAM最新成果，称可取代DDR SDRAM
目前业界正在研制一种新型的存储芯片，就是被命名为ReRAM的电阻式内存，这种存储芯片既拥有DRAM水平的读写速度，又可以像NAND闪存那样在断电后也能保存数据，可以说是整合了两者的优点于一身。现在ReRAM芯片的研制已经初见成效，日前索尼和Micron就联手公布了他们的最新研究成果，称他们试制的产品在性能上已经非常接近理论数据。
大容量ReRAM作缓存，混合式SSD方案出炉
当固态硬盘在市场上崭露头角的时候，希捷推出了混合硬盘，通过在搭载大容量缓存的方式来提升机械硬盘的性能。现在有来自Tech-On的消息称，日本中央大学的研究小组已经找到了一个能让固态硬盘性能表现更好而且也很容易实现的方法，那就是混合式固态硬盘。
同时拥有DRAM和NAND的优点，松下预计明年量产ReRAM
DRAM的读取速度快，但是断电后里面的数据将全部丢失；NAND闪存可以在断电后保存数据，但是读写速度跟DRAM相比就完全不是对手了。那么，有没有可以结合两者优点于一身的存储芯片呢？答案是有的，那就是ReRAM。
惠普将与海力士合作研发电阻式内存
最近，惠普与海力士达成一项协议，根据协议两公司将共同研究下一代的内存产品。
惠普在实验室里证明了忆阻器（memristor）的存在，现在两家公司计划利用忆阻器来开发电阻式内存（ReRAM），忆阻器相比现有的固态存储技术能耗更低，速度更快，而且能在断电时存储数据，如果研制成功的话将会可能代替现有的DRAM和Flash芯片。
