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美光发布9550系列数据中心PCIe 5.0 SSD：针对AI应用优化，最大提供30.72TB

美光宣布，推出9550系列数据中心PCIe 5.0 SSD。美光表示，这是目前全球最快的数据中心SSD，专为管理需要极高速度、可扩展性和能效的关键工作负载而构建，必然人工智能（AI）、以性能为中心的数据库、在线事务处理（OLTP）和高频交易等。

长江存储在美国起诉美光，指控对方侵犯其11项专利

近日，长江存储（YMTC）在美国加州北部地区的地方法院对美光提起诉讼，指控对方侵犯其11项专利，涉及3D NAND闪存及DRAM产品，要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器产品，并支付相关的专利使用费。

英睿达P310发布：美光首款M.2 2230 PCIe 4.0 SSD

美光宣布，旗下专注于消费类存储产品的英睿达（Crucial）品牌推出P310，这也是其首款M.2 2230 PCIe 4.0 SSD，将SSD带到了最小尺寸的M.2规格上。新产品可以兼容流行的手持游戏设备，比如Valve的Steam Deck掌机，或者是迷你PC和超轻薄笔记本电脑，像微软Surface Pro 8/9这样空间有限的轻薄设备，在不牺牲性能的前提下，轻松存储更多游戏和数据密集型内容。

美光公布2024财年第三财季财报：存储产品涨价带动收入攀升，同比增长81.5%

美光公布了2024财年第三财季财报（截至2024年5月30日），季度营收为68.1亿美元，相比于上一个财季的58.2亿美元有所增长，环比增长了17%，也高于上一财年同期的37.5亿美元，同比增长了81.5%；净利润约为3.32亿美元，上一个财季净利润为7.93亿美元，上一财年同期净亏损为14.30亿美元；每股摊薄收益为0.3美元，上一个财季每股摊薄收益为0.72美元；运营现金流为24.8亿美元，上一个财季为12.2亿美元，上一财年同期为2400万美元。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-28 14:32

美光正在试产1γ工艺芯片，目标2025年量产EUV DRAM

美光已开始采用1γ（1-gamma）工艺试产DRAM芯片，并计划明年进入大批量生产阶段。直到目前为止，美光所有的存储芯片都完全依赖于DUV光刻设备，反观DRAM领域主要的竞争对手三星和SK海力士，都投资了更为昂贵的EUV光刻设备。美光通过标准的DUV多重曝光，在1α和1β工艺上开发出具有性能和成本竞争力的DRAM芯片，而切换到EUV技术可以进一步提高制程节点的经济性。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-28 11:28

美光台中工厂因高压气体泄漏引起火灾：没有人员伤亡，仍在正常运行

近日，美光位于中国台湾台中的工厂发生火灾，随后当地消防部门派出了数十名消防员前去，并在现场组织了临时的应急小组，工人也立即被疏散。工厂内的自动灭火系统发挥了作用，使得火势很快被控制。据现场的报告，起火的原因是供应室的高压气瓶泄漏，具体情况还在调查当中，暂时没有收到人员伤亡的报告。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-22 10:20

美光在全球范围内加大HBM3E生产，或选择马来西亚建造新工厂

此前美光曾表示，希望到2025年，能占据20%至25%的HBM市场份额，力争提高到与传统DRAM相当的水平。对于具体如何去实现，美光并没有详细的说明，不过进一步扩大产能是必然的。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-20 11:42

HBM供应短缺促使美光扩张产能，希望进一步提升市场占有率

此前有报道称，美光将在日本广岛县建造一座新的DRAM工厂，投资金额在6000亿至8000亿日元之间，计划2026年初开工建设，目标2027年末完成工厂主体建筑建设和第一批工具的安装。其中将安装极紫外（EUV）光刻设备，以1-gamma（1γ）工艺生产DRAM芯片。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-14 11:04

美光宣布已提供GDDR7样品：速率32Gbps，将用于下一代GPU

美光宣布，推出业界最高比特密度的下一代GDDR7显存芯片样品，将为人工智能（AI）和游戏GPU提供更高水平的图形性能。美光表示，新款GDDR7提供了更高的性能，吞吐量提升了33%，响应时间缩短了20%，非常适用于当下流行的生成式AI工作负载。与现有的GDDR6和GDDR6X相比，在FHD、2K和4K分辨率下，使用GDDR7的显卡预计能将帧数提高30%以上。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-05 14:06

美光介绍新款HBM3E产品：1β工艺制造，8/12层堆叠，24/36GB容量

近期美光发布了一系列内存和存储产品组合，以加速人工智能（AI）的发展。其中新款的HBM3E产品备受外界关注，美光早些时候已经宣布开始批量生产HBM3E，将用于英伟达H200，计划在2024年第二季度开始发货。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-30 15:07

美光计划在日本建造新的DRAM工厂，预计2027年末投入运营

据TrendForce报道，美光计划在日本广岛县建造一座新的DRAM工厂，预计投资金额在6000亿至8000亿日元之间（约合人民币277.06亿至369.41亿元）。美光计划2026年初开工建设，目标2027年末投入运营，其中将会安装极紫外（EUV）光刻设备，将以1-gamma（1γ）工艺生产DRAM芯片。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-28 18:07

英睿达Pro系列DDR5-6000白色版到来：美光32GB超频内存套装首发819元

美光在2022年改变了消费市场的销售策略，选择将重点放在英睿达品牌上，结束了Ballistix/铂胜品牌内存的生产和销售。不过美光并没有放弃自有品牌内存，2023年就推出了英睿达品牌的Pro系列内存，涵盖了DDR4和DDR5产品，进一步拓展了产品线。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-24 12:08

美光推出英睿达LPCAMM2内存：LPDDR5X-7500规格，已用于联想移动工作站

美光宣布，旗下专注于消费类存储产品的英睿达（Crucial）品牌推出LPCAMM2内存。作为一款颠覆性外形设计的笔记本电脑内存，搭载了LPDDR5X颗粒，为专业人士和内容创作者提升移动设备性能。前一段时间联想推出了新一代ThinkPad P1 Gen 7移动工作站，已采用了美光的新产品，成为了AI PC和处理复杂工作负载的理想高性能内存解决方案。