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Cortex-A9：28nm产品达成2.5GHz，20nm产品成功流片

Blade 发布于2011-12-15 12:19 / 关键字： ARM, GlobalFoundries, Cortex-A9, 28nm, 20nm

　　日前ARM与GlobalFoundries联合宣布，他们在Cortex-A系列处理器架构上的合作取得了新的进展，其中采用28nm工艺的双核Cortex-A9处理器成功达成了主频2.5GHz的目标，而20nm工艺的Cortex-A9处理器亦成功流片。

　　据GlobalFoundries称，2.5GHz双核Cortex-A9处理器采用了面向高性能芯片的28nm HP工艺打造，如果进一步使用性能更高的28nm HPP工艺，处理器的主频还可以进一步提高。28nm HPP工艺主要用于有线网络应用方案上，芯片运行电压仅0.85V，功耗很低。
　　另外，流片成功的20nm工艺Cortex-A9处理器采用了GlobalFoundries新一代的平台验证技术（TQV），可以比28nm工艺产品带来最多35%性能提升的同时，功耗下降最多50%。据称，20nm平台验证技术的产物并不是测试芯片，而是包括了完整的SoC规范，可以有效提高产品性能、降低产品功耗并加快产品的上市速度。
　　不过到目前为止，ARM和GlobalFoundries都没有透露相关产品的上市计划，看来他们需要走的路还很长。

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容量再翻倍，IMFT宣布第二款20nm工艺NAND闪存芯片出炉

Blade 发布于2011-12-07 11:15 / 关键字： IMFT, 20nm, NAND, 128Gb, ONFi 3.0

　　在今年4月份，有英特尔和美光联手打造的闪存厂商IMFT（Intel Micron Flash Technologies）正式宣布推出20nm制程的NAND闪存芯片。其首款产品是64Gb MLC NAND闪存芯片，芯片面积为118mm²，尺寸比同容量的25nm制程产品减少约三分之一但性能与寿命方面则基本保持一致。

　　日前，第二款由IMFT打造的20nm NAND闪存芯片亦正式出炉了。该款产品容量为128Gb（即16GB），内部连接界面采用了最新的ONFi 3.0标准，传输带宽达333MT/s，可有效提升闪存的持续读取速度。另外新产品的Page Size也发生了变化，从现在常用的4KB提升到16KB。实际上，即使是早前的64Gb产品，其Page Size亦已经提升至8KB，不过内部连接界面使用的仍然是ONFi 2.x标准。

　　IMFT表示，由于目前大多数固态硬盘的主控芯片仅支持Page Size为4KB的闪存芯片，因此他们发布的两款20nm工艺闪存在短期内都不会出现应用在固态硬盘产品上。考虑到研发新主控和新固件所需要的时间，他们预计采用20nm工艺闪存的固态硬盘将会在2013年上市，届时固态硬盘将真正迈入TB级时代。
消息来源：[DailyTech]

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向20nm工艺进发，ARM收购IC设计软件开发公司Prolific

Blade 发布于2011-11-01 17:30 / 关键字： ARM, IC设计, Prolific, 20nm

　　今天ARM公司正式宣布，他们将全面收购位于美国加州的IC设计软件开发公司Prolific，并称此举将大大缩短他们在芯片设计上消耗的时间，也能有效提升未来产品的性能。
　　据ARM表示，Prolific公司已经和他们合作多年，现在由于20nm工艺的复杂性大幅增加，他们需要一套更加完善的自动化布局优化方案。在收购Prolific后，ARM公司将利用他们的技术实现高集成、低功耗的SoC方案，让整个芯片系统步入20nm领域。

　　ARM还称，收购完成后，原Prolific公司员工将整合至ARM的物理IP团队，继续强化物理IP产品战略的部署。不过，ARM并未透露该项收购的所需金额，亦没有表示何时完成收购。

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20nm工艺Cortex-A15多核心处理器已经流片成功

Blade 发布于2011-10-19 15:20 / 关键字： ARM;Cadence;台积电, 20nm, Cortex-A15

　　日前ARM、Cadence和台积电公司联合宣布，采用20nm工艺打造的Cortex-A15多核心处理器已经流片成功。
　　据称，ARM与Cadence展开了为其18个月的合作，通过使用后者的RTL-to-signoff技术进行设计流程优化，然后ARM再与台积电花了6个月的时间完成了20nm工艺的制品设计，最终产品成功流片，为下一代的SoC芯片打开了宽敞的大道。

　　三者还称，Cortex-A15架构处理器拥有低功耗、高性能和拥有众多先进功能等特点，与20nm工艺配合可以说是相得益彰，对应的产品将非常适合智能手机、平板电脑等移动设备使用。

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GlobalFoundries 20nm工艺流片成功，与三星携手28nm工艺

Blade 发布于2011-08-31 15:51 / 关键字： GlobalFoundries, 20nm, 流片, 三星, 28nm HKMG

　　日前GlobalFoundries与三星联合宣布，两者携手同步制造采用28nm HKMG工艺高性能低漏电率的芯片。据称这种工艺专为移动设备处理器而设，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等。
　　据消息显示，新工艺的产品比现有的45nm工艺产品在同样频率下可节省60%的功耗，同样功耗下则可以提升55%的性能。在两家的晶圆厂同步投产后，客户的芯片无需重新设计也可以在两者的晶圆厂内同步生产。

　　另外GlobalFoundries也在近日宣布，他们的20nm工艺试验芯片流片成功，已经在新工艺的发展道路上迈出了里程碑般的一步。不过关于新工艺的细节，GlobalFoundries并没有进行透露。

　　消息来源：[Xbit-Labs]

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摆脱台积电的束缚，NVIDIA与IMEC达成3年合作协议

Blade 发布于2011-05-26 10:35 / 关键字： NVIDIA, IMEC, 制程, 3-D晶体管, 20nm

　　日前，著名微电子研究机构IMEC与NVIDIA达成期限为3年合作协议，将为COMS工艺的研发而共同努力。
　　根据协议表示，NVIDIA将成为IMEC的无工厂核心合作伙伴，能第一时间为自己的产品选择先进的制程工艺和制造技术，还能对新一代产品进行评估。同时，两者亦会携手合作开发三栅极3-D晶体管和20nm级别工艺等技术。

　　据NVIDIA称，通过与IMEC的合作，NVIDIA能为客户提供更优秀的产品和解决方案，在扩大市场、增强业界影响力发面有莫大的帮助。
　　目前，NVIDIA主要依靠台积电进行芯片生产，这也意味着产品制程的进步完全依靠台积电实现，局限性较大。现在NVIDIA与IMEC达成合作协议，在新产品的工艺上有了更多的选择，也可以藉此减轻对台积电的依赖，提高产品开发的灵活性，或许这正是NVIDIA签订协议的本意。

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Globalfoundries将同步发展20nm/22nm工艺

Qing 发布于2010-04-26 10:47 / 关键字： Globalfoundries, 20nm, 22nm

　　近日，Globalfoundries宣布将会出台20nm核心工艺技术，而22nm工艺亦会同步推出。换句话说，Globalfoundries将同步发展其全节点和半节点工艺。

　　Globalfoundries和TSMC两家此前都不约而同地取消了32nm bulk工艺，前者主要是出于商业上的原因，而TSMC则是由于40nm工艺问题多多，接下来的32nm工艺仍会采用相同的材料和设计，故取消32nm工艺是势在必行的。另外，TSMC还会跳过22nm工艺而直接上马20nm工艺。
　　早些时候，几乎所有代工厂均推出了半节点工艺，例如55nm工艺就是由65nm所衍生的，尽管全节点工艺正日渐失去其意义，但Globalfoundries表示其半节点和全节点工艺将会共存。
　　Globalfoundries的业务主要在于AMD顶级处理器芯片以及一些简单芯片的代工，公司需要在不同的工艺上花费更多的投资。Globalfoundries的董事Jon Carvill表示，“我们将同时投资20nm和22nm工艺技术。目前半节点工艺正在不断增长，但在一些高产量部分，如处理器业务方面则更需要全节点工艺”。

消息来源：[xbitlabs]

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三星20nm工艺闪存芯片将于年内量产

Tim 发布于2010-04-20 10:11 / 关键字： 20nm, Samsung

　　闪存芯片在日常生活中的应用越来越广泛，我们使用的电子数码设备，如数码相机，手机和笔记本电脑等都有使用闪存芯片作为存储介质。
　　据悉，三星（Samsung）近日发布消息：已经研发出业界首个用于SD存储卡的20nm工艺32Gb NAND闪存芯片。这距离上一代工艺，仅仅使用了一年的时间。　　三星称，32Gb的闪存芯片将应用于4GB到64GB的存储设备。和30nm工艺的MLC NAND闪存芯片相比，采用20nm NAND工艺闪存芯片的SD卡写入速度提高30%至10MB/s（即Class 10），读取速度20MB/s。除了性能上的提升，新工艺还让成本降低，加速大容量闪存设备的普及。　　三星表示，希望能在年内全面转向20nm工艺闪存芯片的生产。

　　消息来源：[MLC+NAND+Flash/article18166.htm" target=_blank>dailytech]

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台积电激进大跳跃：直上20nm工艺

Tim 发布于2010-04-14 11:41 / 关键字： TSMC, 20nm

　　GlobalFoundries在四月初宣布取消32nm工艺，直接采用28nm HKMG工艺。今天台积电放出更为激进的消息：跳过22nm工艺，直接采用更高级的20nm工艺。

　　目前台积电40nm的良率还不乐观，对AMD和NVIDIA新一代显卡生产造成严重影响，现在更是直接跳过32和22nm工艺，这样显然会给下一代显卡的研发造成影响。　　台积电研发部门高级副总裁蒋尚义(Shang-yi Chiang)对接近1500多名台积电客户和第三方伙伴表示，跳过22nm而迈向20nm能带来更高的栅极密度和芯片性能，对高级技术设计师提供了一个更切实可行的新平台。台积电22nm工艺将采用增强型高K金属栅极(HKMG)、应变硅、低电阻铜超低K互联等技术。　　蒋尚义宣布台积电预计在2012年下半年开始20nm工艺的风险性试产，还表示部分技术条件已达到预期效果：如FinFET器件和高流动性的晶体管器件结构的可行性。
　　消息来源：[eetimes]

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