作为840 Evo的继任者，850 Evo在性能上的改进还是合格的，读写速度受限于SATA 6Gbps接口提升不明显，不过改进后的TurboWrite加速技术对随机写入性能提升还是蛮多的。此外，3D V-NAND技术的加入使得850 Evo硬盘的数据寿命大幅提升，低容量版从840 Evo的44TB写入量提升到了75TB，500GB及1TB版则提升到了150TB，寿命跟一般的MLC闪存差不多了，而且质保时间也从3年提升到了5年，一切看起来都是很美好的。

但在三星看来，这么好的东西实在没有便宜卖的理由，850 Evo不同容量的MSPR建议价分别如下：

120GB建议价99.99美元250GB建议价149.99美元500GB建议价269.99美元1TB建议价为499.99美元

上述价格我并没有按惯例换算成人民币价格，因为这个价格还是不含税的，消费者能买到的含税售价分别是：

120GB售价119.99美元，约合740元250GB售价174.99美元，约合1080元500GB售价309.99美元，约合1913元1TB售价574.99美元，约合3548元

当然，以上还是美帝的良心价，国内价格的话还得再加点，地主也是要收租的啊。

即便只是看不含税的建议价，120GB售价100美元也有点高了，美光之前推出的MLC闪存的MX100硬盘120GB、250GB、512GB数据寿命为72TB，120GB版售价80美元起，比850 Evo便宜20%多。

Anandtech今年6月份测试MX100时列出的价格，可以做个参考，现在的价格应该更低了

闪迪的Extreme II系列120GB上面列出的价格是98美元，不过美蛋上现在只要79.99美元，240GB也只要139.99美元，均要比850 Evo便宜的多。

三星这样的定价让我想到了显卡上类似的场景，比如说厂商精心设计了一款非公版的GTX 760或者R9 280显卡，性能可以追上更高一级的GTX 770或者R9 280X，所以厂商觉得他们这款显卡卖上GTX 770/R9 280X的价格也是很合理的，不过消费者不会买账，多数人还是认为TLC闪存的硬盘就应该比MLC的更便宜才对。

我觉得三星只有解决好这个矛盾，才能让消费者更快地接受TLC闪存硬盘。目前来说，虽然850 Evo指标更进一步，但从性价比上来看依然不值得推荐，在选择更多的时候实在没必要非买850 Evo不可，除非你是三星SSD的忠诚粉丝。

花旗银行分析師Joe Yoo日前发表报告称三星、HTC等公司明年有望跟进苹果的策略，推出容量更大的手机，入门款容量可能也是16GB，之后就是64GB，32GB版也会被取消。这样会使得NAND需求更大，而相关的NAND公司则会受益。这个分析师已将苹果NAND主要供应商之一的SanDisk公司的股票评为“买进”，目标股价125美元。

此外，Joe Yoo还指出，iPhone 6及6 Plus的需求在未来两年还会保持稳定之态，NAND闪存供应也会吃紧。

看起来明年的新一代手机存储容量增大是跑不了的，不过希望这些公司学苹果也学好的地方，iPhone 6和6 Plus大容量版因为TLC闪存已经闹得满城风雨，明年SanDisk/东芝的15nm TLC闪存也会量产，三星的TLC已经量产了（虽然苹果暂时还没用三星的TLC闪存），美光TLC闪存也差不多时候了，明年大家买手机真的要看运气了。

苹果目前的iPhone 6/iPhone 6 Plus的64GB（部分）及128GB机型中使用了来自SK Hynix、Toshiba和Sandisk的TLC闪存芯片，TLC芯片的成本要低于SLC以及MLC闪存芯片，在性能上也有所差距。虽然苹果一直在逐渐摆脱三星对供应链的控制，但这一次苹果也不得不重新寻求和三星进行合作，此外苹果也希望三星能为其提供iOS设备使用的电池以及Apple Watch中使用的芯片，下一代的苹果A系列处理器将可能采用三星14nm工艺制造。

就我的理解，苹果在2011年以5亿美刀收购了闪存技术解决方案提供商Anobit，当时苹果就是看上了Anobit的TLC主控技术，目前苹果用上了Anobit的TLC主控技术，使用TLC主控技术可以降低生产成本。然后问题来了！由于TLC闪存并没有独立的缓存，苹果只能在主内存里为其划出缓冲区，但苹果祖传的1GB RAM在运行了大量的应用之后明显不足以提供足够的缓存空间，所以只能干掉进程，所以程序闪退和卡机的问题也就随之发生。在运行了大量应用的情况下，TLC闪存的机型崩溃的几率大大增加（读者们有兴趣可以试试）。

目前16G的iPhone 6/iPhone 6 Plus使用的是MLC闪存芯片，64GB有一半可能买到TLC闪存芯片，而128GB的iPhone几乎都是TLC闪存芯片，如果读者们在意这一点，可以先观望。

日前苹果的iPhone 6及iPhone 6 Plus爆出了使用MLC及TLC两种闪存，其中使用TLC闪存的更容易出现卡顿和死机的情况，苹果方面还没就此发表回应，今天推出的iOS 8.1.1是否改进算法修复了TLC闪存机型卡顿死机的情况还有待测试。

相关阅读：iPhone 6 MLC、TLC闪存性能测试：TLC不太给力啊！

美国FRYS网店上已经开始接受三星850 Evo硬盘的预售，目前曝光的是1TB版，SATA III接口，2.5寸7毫米厚度，读取速度550MB/s，写入速度520MB/s，读取速度比840 Evo的540MB/s提高了10MB/s，写入速度则是一样的。

三星的850 Evo升级重点显然不是性能方面的，目前的840及840 Evo都是TLC闪存，而850 Evo虽然也是TLC闪存范畴，不过它跟850 Pro一样会使用三星的V-NAND工艺，初代、二代V-NAND工艺的叠加层数分别是24、32层，不需要太先进的工艺就能实现大容量，850 Pro使用的就是40nm工艺，好处则是写入寿命更高，所以三星850 Evo的写入寿命会是一个关键卖点。

不过850 Evo的价格也延续了三星的风格，目前1TB版的850 Evo预售价为499.99美元，折合人民币大约3057元，价格比429.99美元的840 Evo 1TB略高，但大大低于850 Pro的699.99美元，不过美国商场列出的价格通常是不含税的，所以3000元的价位到了国内恐怕要上升到4000+，而三星840 Evo 1TB国内行货的价格是3599元，850 Pro 1TB的价格是4999元，美光M500的价格是3299元，仅供参考。

三星在2013年月份推出了第一代V-NAND闪存，当时是24层堆栈，今年5月份推出了第二代V-NAND闪存，堆栈层数从24提高到32层。前不久发布的新一代850 Pro硬盘使用的就是第二代V-NAND闪存，不过这个还是MLC类型的，制程工艺为40nm，所以可以兼顾性能和可靠性，10年质保。

TLC闪存相比MLC闪存成本更低，三星显然也会极力推动TLC规格（忘了说了，三星官方不提TLC这个字眼，而是叫做3bit MLC，至于原因大家都懂）的V-NAND闪存量产，之前已经确认了，TLC V-NAND闪存也是第二代技术，32层堆栈，单颗核心容量128Gb，不过三星并没有透露TLC V-NAND闪存的工艺水平，如果维持MLC V-NAND的40nm工艺，那么850 Evo的P/E寿命还值得一战。

V-NAND与TLC两种技术都能提升NAND产能，现在双管齐下，三星官方表示与目前10nm级别的平面TLC闪存相比，TLC V-NAND闪存的晶圆常能高1倍。

三星现在已经量产TLC V-NAND闪存，不过850 Evo硬盘何时发布还是未知。

在IFA展会上大家关注的焦点都是数码产品，不过三星确实也展示了850 Evo硬盘，宣称这是世界首款3bit 3D V-NAND硬盘，当然三星的3bit闪存实际上就是我们常说的TLC闪存，他们就是觉得TLC名称已经被玩坏了。

三星在描述中提到850 Evo硬盘优化了性能，改善了PC的生产力，而通过3D V-NAND还提升了产品的耐用性，这是之前大家对TLC闪存最不放心的地方。

TLC闪存的性能与可靠性一直是争议的焦点，三星虽然没有公布具体的数据，但看起来850 Evo在这两点上相比目前的840 Evo会更好，他们的底气主要还是来自V-NAND这种技术。

我们都知道理论上MLC闪存性能和可靠性高于TLC闪存，3D V-NAND的MLC也要好于V-NAND的TLC，但3D V-NAND的TLC在性能及可靠性并不见得输给普通的MLC，因为V-NAND这种3D闪存与传统NAND有所不同，详情可以参考之前的V-NAND技术解析，通过多层堆叠，V-NAND闪存不仅容量提升了，而且不依赖更先进的制程，闪存的性能和可靠性提升了，目前三星的V-NAND技术已经发展到了第二代了。