SM2256主控支持慧荣科技的专利NANDXtend ECC纠错技术，可以提供综合的数据保护能力并提高TLC闪存的寿命，耐久度可比其他的TLC SSD增加三倍，慧荣科技可以提供包括主控与固件在内的一整套完整的解决方案。

SM2256是一个四通道主控，每通道最多8CE，支持SATA 3.1规范，接口带宽最大6Gbps，有一个16bit DRAM接口，支持DDR2/3内存作为缓存，闪存方面支持ONFI 3.0、Toggle 2.0与异步接口，1x、1y、1z工艺的TLC与MLC闪存，可扩展支持3D NAND。

性能方面，如果采用东芝A19 TLC闪存的256GB SSD为例，最大连续读写速度分别为524/400 MB/s，最大随机读写IOPS分别为90,000/70,000，感觉还不错，这款SM2256主控会在本月5日到7日举行的闪存峰会上展示，今年第四季度会投产。

这款SSD名为三星845DC EVO，它的设计是基于原来的PM853T，三星845DC EVO与三星840 EVO一样，采用1x nm TLC闪存，有240、480、960GB三个容量，连续读取速度可以达到530MB/s，而随机读取可以达到87,000 IOPS，它的工作功耗约为4W左右，比一般的数据中心HDD低25%。

三星845DC EVO将会在6月底出货。

随着闪存工艺的提升以及MLC到TLC的变化，NAND对可靠性、性能及功耗的要求也越来越高，88SS1074主控支持Marvell第三代的NANDEdge纠错及LPDC低密度奇偶校验技术，这对TLC闪存SSD尤为重要。此外，新主控还优化了功耗表现，比目前的解决方案还要低。

Marvell的88SS1074主控支持SATA 6Gbps接口，同样也会使用28nm CMOS工艺制造，支持DEVSLP休眠技术，支持ONFI 3/Toggle 2闪存，支持256bit AES加密。

新主控目前已经开始出样给部分客户，Marvell公司也会在台北电脑展会上展出这颗主控，地点位于台北君悦大酒店。

Hardware.info网站称他们获得的独家消息显示，美光将在6月份推出新一代固态硬盘MX100，它会取代之前M500的地位，性能介于M500与目前最新的M550之间，但是价格要比M500还要便宜。

最关键的地方在于，MX100将会使用16nm闪存，虽然消息来源并没有指出美光会使用哪种类型的NAND闪存，但是此前美光已经表态今年下半年会出货16nm TLC闪存，而MX100要比M500还要便宜的说法让人更相信美光会在低端产品上使用TLC闪存。

随着竞争的加剧和技术的进步，NAND闪存从SLC到MLC再到TLC几乎是必然的，只不过TLC闪存目前依然面临很大的争议，特别是伴随制程升级的情况下，20nm MLC闪存的P/E寿命还可有3000-5000次，但是TLC闪存就降到了1000-1500次，16nm TLC闪存的P/E寿命只会更低。

除此之外，TLC闪存还面临着性能、可靠性（需要更多的纠错）等多方面的考验。此前也只有三星在840及840 Evo两代SSD上使用了TLC闪存，840 Evo在解决这些问题上做的其实还不错，性能比很多MLC闪存还要强，使用寿命上也没看出有明显问题，只是价格并没有预期中的便宜。

目前美光M500的价格已经很便宜，M500 240容量的不过700元出头，如果16nm闪存的MX100更便宜，也许能把240GB容量的价格拉到600甚至500元左右。

美光最近谈到了他们的存储业务的一些未来计划，首先是TLC闪存，预计今年Q4季度开始出货16nm TLC闪存，主要用于售价较低的消费级固态硬盘产品中。初期的TLC闪存固态硬盘应该会很少，成本、可靠性及耐用性都还需要观察。

当然，TLC闪存历来争议就很多，美光的16nm TLC闪存上市之后，有关MLC与TLC闪存使用寿命的争议还会更多。

另外，美光计划在2015财年、也就是今年Q4季度推3D NAND，竞争对手三星去年就已经推出了V-NAD闪存了，也是3D堆栈封装的。美光对自己的3D NAND的进展很满意，不过出样时间还要等等。美光表示已经有很多合作伙伴对3D NAND闪存表示感兴趣，但是没有透露具体的厂商名字。

还有就是DDR4内存，美光此前已经宣布了开始量产DDR4内存，Intel今年Q3季度会推出首款支持DDR4内存的Haswell-E处理器以及X99主板，这对DDR4内存是一个有力的推动。

　　三星去年发布了世界首款3bit MLC闪存SSD——840系列（悄悄说下，三星目前已经不再提TLC闪存的说法，统一叫做3bit MLC闪存，而我们常说的MLC则是2bit MLC），前不久又推出了840的继任者840 Evo，闪存的类型没有变化，不过制程工艺、主控改进很大，不仅新增了750GB、1TB容量，而且120GB的读写速度也提升非常明显。

　　虽然改名叫做3bit MLC闪存了，但是大家对这种NAND闪存最大的担心依然是可靠性，因为TLC闪存的P/E次数从目前MLC闪存的3000-5000次降低到了1000次左右，对于这个问题，三星官方又是如何看待的呢？

　　Tomshardware网站的AMA（Ask Me Anything）访谈上次采访的是高通，这一次轮到三星了，主要谈论的是三星在存储市场的表现，问题涉及了为何退出HDD市场、下一代SATA Express接口、三星首款PCI-E接口的XP941 SSD、奇特的三核主控、840 Evo等等，其中的相当多的内容都集中在了840 Evo所用的3bit MLC闪存的可靠性上，来看一下三星官方的回复。

　　三星是首家成功把3bit MLC带到SSD中的公司。一般来说有三个因素决定了SSD使用寿命：NAND类型、写入负载的类型和数量以及SSD容量。如你所见，NAND类型（2bit MLC还是3bit MLC）只是影响SSD使用寿命的一部分因素。（三星这大事化小的能力很强大啊）

　　3bit MLC闪存本来不是SSD的选项之一，但是有两件事使之成为可能：首先是SSD容量的增长使得可靠性不再是问题。另外，负责读写SSD闪存的主控/DSP技术每年也在进步中。举例来说，容量从64GB提高到128GB，SSD的使用寿命提高了一倍，容量再提高到256GB，那么使用寿命还会再次翻倍。如果现在还在用64GB的的SSD，那么3bit MLC是不可能承担得起每天40GB的写入量的。

　　总之，SSD容量的提升使得可靠性不再是问题，以往在小容量SSD上实现不了的每天40GB写入量（之前的算法认为每天通常写入10GB）对现在的SSD已经不是问题。

　　三星自己的测试使用的是256GB的3bit MLC闪存SSD以每天40GB的写入量持续测试PCMark，达到NAND寿命极限大约需要13.5年，这个期限对SSD来说已经是相当长的时间了，要知道13年前的HDD容量也不过20GB。

　　此外，一些评测显示3bit MLC闪存甚至可以承受（比官方测试）更多的写入次数，如果换用2bit MLC闪存，那么使用寿命可达47年。问题是你真的需要13年的使用时间吗？（以每天40GB写入来计算）。如果你有这个需要，那么2bit MLC更适合你，但是大部分人并没有每天写入40GB、持续13年的需求，实际上13年的时间很多人连电脑都淘汰升级了。

　　后面还有一个有关MRAM（磁随机存取存储器）的提问再次谈到了NAND可靠性的问题，三星的回答也类似。在官方的看法中，随着SSD容量的提高及主控技术的进步，3bit MLC的可靠性已经不是问题，至少对不需要大规模持续写入的普通消费者来说不是问题。

　　接下来我们看看这个用TLC闪存的XT3系列SSD，现在知道的是它也是用Marvell的主控，1x nm工艺的TLC闪存，和Memoright自家的固件，最大读写速度分别为540/300 MB/s，在价格上将很有竞争力，再详细的信息就不清楚了。