最近Silicon Power推出了新的内存产品,该产品采用双面8颗256MB DDR3内存颗粒设计,该产品采用ODT工艺能够减少电磁信号干扰并可提高运行速度。
这次推出的产品包括单条4GB内存、双通道内存套装(4GBx2)和三通道内存套装(4GBx3),以上产品均工作在1333MHz的频率而CL为9,工作电压为1.5V。
消息来源:[tcmagazine]
游客 2010-09-13 17:26
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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我匿名了 2010-09-13 16:41
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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