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      最近Silicon Power推出了新的内存产品,该产品采用双面8颗256MB DDR3内存颗粒设计,该产品采用ODT工艺能够减少电磁信号干扰并可提高运行速度。

      这次推出的产品包括单条4GB内存、双通道内存套装(4GBx2)和三通道内存套装(4GBx3),以上产品均工作在1333MHz的频率而CL为9,工作电压为1.5V。

      消息来源:[tcmagazine]

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    已有 2 条评论,共 2 人参与。
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    • 游客  2010-09-13 17:26

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      2#

    • 我匿名了  2010-09-13 16:41

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      1#

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