DFI无极P965-S关键BIOS设定详解

　　DFI无极P965-S主板提供了极期丰富的BIOS选项，其中有多项设定是影响到效能与超频稳定性的关键，网友狂少将重点几个选项详细地解说了并进行了总结，如果大家想向更高外频冲击的话，就不要错过以下内容了，^_^　　

OCD（Off-Chip Driver，脱机驱动调整）

　　DDR2内存可以通过OCD可以提高信号的完整性， 调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等，目的是让DQS与DQ数据信号之间的偏差降低到最小。而使用OCD减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性，并通过控制电压来提高信号质量。

ODT（On-Die Termination，内建核心的终结电阻器）

　　在DDR的时代，为了防止数据线终端反射信号，主板内存插槽附近需要设置大量的终结电阻，直接增加了主板的制造成本， 而且主板上的终结电阻并不能非常好的匹配每一种内存模块，还会在一定程度上影响信号质量。

　　而不同规范的DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，可以保证最佳的信号波形。 ODT技术的使用是双赢的，既降低了主板的成本，还可以使信号质量得到进一步的提升。

供大家参考的外频510~540的详细设定，使用的是0424 BIOS

Settings Voltage：

DRAM Voltage Setting : FSB 510-2.375V / FSB 520+530-2.425V / FSB 540-2.450V
VTT Voltage Setting : FSB 510-1.325V / FSB 520+530+540-1.425V
NB 1.25V Setting : FSB 510-1.3V / FSB 520+530-1.35V / FSB 540-1.4V
SB 1.5V Setting : 1.5V
SB 1.05V Setting : 1.05V

Settings Ram：

DDR Configuration Mode : Mode3
GTL+ Driving Strength : Mode2
Enhanced Data transmitting : Fast
Enhanced Addressing : Fast
Channel 1 CLK fine Delay : Auto
Channel 2 CLK fine Delay : Auto
DQ Calibration : 4 ~6
CAS Latency Time (tCL) : 4
DRAM RAS# to CAS# Delay (tRCD) : 4
DRAM RAS# Precharge (tRP) : 4
Precharge Delay (tRAS) : 10
All Precharge to Act : 3
REF to Act Delay (tRFC) : 30
MCH ODT Latency : 1
Write to PRE Delay (tWR) : 9
Rank Write to Read (tWTR) : 9
ACT to ACT Delay (tRRD) : 2
Read to Write Delay (tRDWR) : 8
Ranks Write to Write (tWRWR) : 6
Ranks Read to Read (tRDRD) : 6
Ranks Write to Read (tWRRD) : 5
Read CAS# Precharge (tRTP) : 4
All PRE to Refresh : 4