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    DDR3内存的优势

      在最近的那次IDF上,英特尔对DDR3内存的优势以简明的文字作了概括:

      和上一代的DDR2相比,DDR3在许多方面作了新的规范,比如核心电压降低了,预取设计增加了等,这些设计都是围绕着高速度低功耗这一特点来进行的。


    DDR3                    
    DDR2                    
    电压 VDD/VDDQ                
    1.5V/1.5V (+/-0.075)
    1.8V/1.8V (+/-0.1)
    I/O接口                
    SSTL_15
    SSTL_18
    数据传输率(Mbps)                
    800/1066/1333/1600
    400/533/667/800
    容量标准                
    512MB-8GB
    256MB-4GB
    CL(CAS潜伏期)                
    5/6/7/8/9/10/11
    3/4/5/6
    AL(附加潜伏期)                
    0/CL-1/CL-2
    0/1/2/3/4
    RL(读取潜伏期)                
    AL+CL
    AL+CL
    WL(写入潜伏期)                
    AL+CWL CWL=5/6/7/8
    RL-1
    预取设计(bit)                
    8
    4
    逻辑Bank数量                
    8(512MB/1GB/2GB/4GB/8GB)
    16
    4(256MB/512MB)
    8(1GB/2GB/4GB)
    突发长度                
    BC4/BL8
    BL4/BL8
    封装                
    FBGA
    78-ball:x4/x8
    96-ball:x16
                   

    FBGA
    60-ball:x4/x8
    84-ball:x16

    引脚标准                
    240Pin DIMM
    240Pin DIMM


     DDR3和DDR2基本规格对比

      在上面那张规格对比表上,能看到DDR3相对于DDR2作了许多改良性和突破性的设计,在接下来的文章中,我们将尽可能用浅显的文字去理解DDR3的一些重要设计。

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