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    DDR3向高密度高容量发展

      随着应用程序的发展,尤其是Windows Vista操作系统的普及,大容量的内存越来越被人渴求。在2007年,1GB容量的内存无疑占据市场绝对主流,到了明年,2GB容量的内存需求量势必大增。

      高密度的内存颗粒也是DDR3改进之一。和DDR2的256MB-4GB的容量相比,DDR3最高能达到8GB的容量。8GB仅仅是在8个逻辑Bank情况下达到的容量,实际上DDR3为了应对未来大容量芯片的需求,还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

      关于逻辑Bank,前面小知识作过介绍,它是由很多个存储单元(Cell)纵横交错组成的阵列,简单地来说,内存的容量=存储单元总数*存储单元容量(常见的内存容量标注都是采用这种方式,如前面介绍过Elixir展示的512MB的DDR3内存容量表示为64M*64,其中64M表示有64M个存储单元,单个存储单元容量为64bit)而存储单元总数=行*列*逻辑Bank数量,逻辑Bank数量的增加,对内存容量增加是显而易见的。


     逻辑Bank(Logical Bank)示意图

      但是,作为同样有8个逻辑Bank的DDR2,为什么它最大内存容量只能达到4GB,而DDR3却能达到8GB呢?这是因为DDR3的单个存储单元容量要比DDR2的存储单元容量大,这也是为什么说DDR3的内存颗粒是高密度颗粒。

      不过,最根本的问题是,为什么DDR3存储单元容量会比DDR2大?我们把这个问题留给读者朋友去思考,结合前面讲过的8-bit预取技术,是很容易找到答案的。

      随着高密度的DDR3内存颗粒的普及应用,对于降低高容量内存成本以及减少封装成本都是大有帮助的,这将会推动DDR3内存的普及速度。

      从性能的角度来考虑,拥有更多的逻辑Bank数则意味着具有较少的Bank冲突,寻址流更加短暂随意,可以提高寻址命中率和降低潜伏周期。当然,更多的逻辑Bank也使工艺趋于复杂,成本增加。早期的Rambus拥有32个逻辑Bank,也是当时价格昂贵的原因之一。目前来看,8个逻辑Bank是在性能与成本间比较好的平衡选择。

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