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    DDR3:延迟真的上升?


    DDR3                
    DDR2                
    CL(CAS潜伏期)5/6/7/8/9/10/113/4/5/6
    AL(附加潜伏期)0/CL-1/CL-20/1/2/3/4
    RL(读取潜伏期)AL+CLAL+CL
    WL(写入潜伏期)AL+CWL CWL=5/6/7/8RL-1

      DDR3的I/O频率相比DDR2有了成倍的增加,为了保证高频率下数据精确的传递,DDR3的总体延迟相比DDR2有所提高。这样的情况在DDR2替代DDR时也发生过,这些延迟的提高降低了内存频率提升带来的收益,现时的DDR3同样无法回避。

      DDR2的CL值为3-6,而DDR3则在5-11范围内:DDR3-800(5-6)、DDR3-1066(6-8)、DDR3-1333(7-10)、DDR3-1600(8-11)。在AL(附加潜伏期)上,也有所变化,DDR2时AL的范围是0-4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。同时,DDR3的WL(写入潜伏期)也比DDR2要高。

      在很多天前,三星的半导体记忆体产品专家指出,片面地认为CL数值大就是DDR3延迟表现不及DDR2,是完全错误无知的观念。他指出,事实上,JEDEC定下的DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5及DDR2-800的 CL6-6-6,其记忆体延迟均为15ns。

      三星专家称,要计算整个内存模组的延迟值,还需要把内存颗粒运行频率计算在内。如果DDR3-1066、DDR3-1333及DDR3-1600的CL值分别为7-7-7、8-8-8及9-9-9,把内存颗粒运行频率计算在内,其延迟值应为13.125ns(7*1000/533.33)、12.0ns及11.25ns,相比DDR2改善约25%,因此把CAS数值当成内存的延迟值是不正确的。

      显然,CL和延迟值这是两个不同的概念,一个单位是时钟周期,如CL=5,表示CL值为5个周期,而三星专家所说的延迟值,是延迟的绝对时间,单位是ns,频率越高,自然一个周期所用的绝对时间也越短。当我们还在为DDR3 CL上升耿耿于怀时,绝对延迟值其实已经在降低了。


     Super Talent低延迟DDR3-1600(7-7-7),售价648美元

      其实我们不必过份担心,DDR2不是一样成为今日内存市场王者么?高端内存厂商肯定会推出低延迟的DDR3产品,比如Super Talent前些时就发布了一款低延迟DDR3-1600套装W1600UX2G7,工作电压1.8V,延迟是7-7-7-18,当然售价也不便宜,高达648美元(人民币5000元)。

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