在IDF开幕式主题演讲中，Intel CEO再次确认了他们的工艺路线图，14nm今年底会就会开始生产，明年的Broadwell及Atom下一代架构Airmont会使用14nm。2015年开始进入更先进的10nm阶段，2017年则会进入7nm节点。

　　首先是Broadwell，Intel明确表示今年底会开始生产14nm工艺，明年Q2季度会发布现有22nm Haswell处理器的继任者-Broadwell。对于后者，Intel还是强调它的节能特性，宣称Broadwell要比Hasell在电池续航上有30%的提升。

　　Broadwell详细的架构介绍要等未来两天的IDF进程继续公布了。

　　明年上马14nm工艺的还有Airmont架构的Atom，Intel在IDF上发布的Bay Trail平台的Atom使用的是Silvermont架构，Airmont则是Silvermont架构的继任者，Intel已经许诺Atom处理器会每年升级架构和制程工艺，比Core系列的Tick-Tock战略还要激进。

　　14nm之后半导体制造工艺又会进入一个新拐点——10nm，这个节点意义重大，因为要进入量子阶段了，半导体的电气特性会有改变。此前的消息显示Intel正在研发10nm以内的工艺，现在计划2015年开始进入10nm阶段，不过真正量产的时间可能要到2016年了。

　　10nm之后是7nm，Intel计划2017年开始尝试7nm工艺，不过真正生产可能还要到2018年。

　　现在还不确定Intel是否会在10nm工艺阶段启用EUV光刻设备，此前ASML表示在今年Q2季度开始出货EUV光刻设备，2018年业界会开始进入18英寸晶圆阶段。