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      在IDF开幕式主题演讲中,Intel CEO再次确认了他们的工艺路线图,14nm今年底会就会开始生产,明年的Broadwell及Atom下一代架构Airmont会使用14nm。2015年开始进入更先进的10nm阶段,2017年则会进入7nm节点。

      首先是Broadwell,Intel明确表示今年底会开始生产14nm工艺,明年Q2季度会发布现有22nm Haswell处理器的继任者-Broadwell。对于后者,Intel还是强调它的节能特性,宣称Broadwell要比Hasell在电池续航上有30%的提升。

      Broadwell详细的架构介绍要等未来两天的IDF进程继续公布了。

      明年上马14nm工艺的还有Airmont架构的Atom,Intel在IDF上发布的Bay Trail平台的Atom使用的是Silvermont架构,Airmont则是Silvermont架构的继任者,Intel已经许诺Atom处理器会每年升级架构和制程工艺,比Core系列的Tick-Tock战略还要激进。

      14nm之后半导体制造工艺又会进入一个新拐点——10nm,这个节点意义重大,因为要进入量子阶段了,半导体的电气特性会有改变。此前的消息显示Intel正在研发10nm以内的工艺,现在计划2015年开始进入10nm阶段,不过真正量产的时间可能要到2016年了。

      10nm之后是7nm,Intel计划2017年开始尝试7nm工艺,不过真正生产可能还要到2018年。

      现在还不确定Intel是否会在10nm工艺阶段启用EUV光刻设备,此前ASML表示在今年Q2季度开始出货EUV光刻设备,2018年业界会开始进入18英寸晶圆阶段。

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