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    今年的NAND闪存会继续提升制程工艺到15/16nm,新制程虽然会提升NAND的容量,但是负面影响也很多,3D NAND倒是个不错的综合性解决方案。三星去年推出了3D堆叠的V-NAND闪存,日前又宣布推出第二代V-NAND闪存,堆叠层数从之前的24层提高到了32层。


    三星第二代V-NAND闪存

    三星去年8月份推出了V-NAND闪存(NAND新时代起点,三星V-NAND技术详解),每个NAND的Die容量是128Gib(16GB),通过3D堆叠技术实现了24层堆叠,当时使用的制程工艺还是30nm级别的,P/E寿命可达35000次,可靠性更高,而且编程时间短,写入性能更高。

    三星现在推出的第二代V-NAND闪存提高了堆叠层数,从之前的最多24层提高到了32层,如果继续保持之前的die容量128Gib来算,那么NAND容量将从384GB提升到512GB,提升了三分之一。

    第二代V-NAND的制程工艺等具体信息也没有提及,与去年的V-NAND相比应该没什么变化。三星宣称的3D NAND相比传统的2D MLC闪存有2倍的可靠性,功耗降低了20%。

    三星此次推出的二代V-NAND闪存的SSD有128、256、512及1TB容量可选,接口为SATA 6Gbps,但是并没有具体的型号,因为目前推出的产品都是面向OEM市场的,今年下半年会推出面向消费级市场的零售型号。

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    已有 1 条评论,共 1 人参与。
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    • 游客  2014-05-31 14:23

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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