14/16nm工艺节点上,三星比TSMC更早量产FinFET工艺,进度只比Intel落后,这一代的工艺竞逐赛就这么定了。在下一代10nm工艺上,三星、TSMC与Intel又开始较劲了,Intel比较谨慎,10nm工艺的Cannonlake至少要到2017年Q3季度才能问世,TSMC的10nm工艺已经冻结研发,明年初试产,而三星这次更进一步,率先使用10nm FinFET工艺生产了128Mbit SRAM缓存。
三星电子日前宣布他们已经成功使用10nm FinFET工艺生产了128Mbit SRAM缓存,后者通常用于处理器的缓存(L1/L2/L3缓存等等),速度比DRAM内存要快得多,目前Intel、TSMC的SRAM缓存还是14、16nm工艺。
三星这么快就生产出了10nm工艺的SRAM缓存说明他们的工艺进展很顺利。根据三星所说,与14nm工艺相比,其10nm SRAM缓存核心面积缩小了37.5%,如果应用于移动处理器,不仅性能更高,也有助于降低芯片核心面积。
至于10nm量产时间,三星预计的时间点在2016年底,跟TSMC的乐观预计差不多,至少都比Intel的10nm工艺进度要快——不过前提是这两家公司都没吹牛,而且工艺进展一帆风顺。
游客 2015-12-08 00:51
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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游客 2015-11-20 13:23
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游客 2015-11-20 12:46
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游客 2015-11-20 10:33
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游客 2015-11-19 18:29
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游客 2015-11-19 12:57
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游客 2015-11-19 12:36
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游客 2015-11-19 12:34
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游客 2015-11-19 12:32
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游客 2015-11-19 12:32
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游客 2015-11-19 12:15
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游客 2015-11-19 11:12
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我匿名了 2015-11-19 11:08
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