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日前，Toshiba（东芝）宣布128Mb的FeRAM（铁电RAM）芯片雏形已经开发完成。
在三年前，NEC开发了首款64Mb的FeRAM芯片，如今Toshiba把其容量翻了一翻，实现了128Mb存储容量和1.6Gb/s的读写速度，堪称目前业内最大容量的高速FeRAM。该芯片基于130nm工艺，核心面积为0.252微米2，采用DDR2接口，电压为1.8V。
Toshiba会进一步对FeRAM进行研究和开发，主要瞄准未来移动客户端产品市场，例如移动电话、移动PC、还有SSD等。Toshiba将会在本周举行的ISSCC2009上公布相关的更多内容
