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海力士半导体（Hynix Semiconductor）于近日宣布已经开发出基于40nm工艺的1GB DDR3 DRAM，内存芯片完全符合Intel DDR3的规格标准，也会送交给Intel作官方认证。
1G DDR3 DRAM的最高速度达到了2133MHz每秒，能够在多种电压环境下运行。公司表示这款1G DDR3 DRAM将会在今年第三季度开始进入量产阶段。由于采用了三维晶体管架构技术，泄漏电流量被控制到最小，整体的功耗也得到了进一步的控制。
海力士将会把40nm工艺和DDR3高速低耗的特点运用在其他产品上，比如大容量内存模组、移动存储颗粒和图形存储器。
消息来源：[Digitimes]