今年的智能手机除了会升级处理器之外，存储芯片也会升级到最新标准，移动内存LPDDR5标准才被JEDEC组织正式公布，闪存也会从UFS 2.0/2.1提升到UFS 3.0，读写速度堪比SSD硬盘（随机还不行）。西数公司日前宣布推出新一代iNAND嵌入式闪存EU511，支持UFS 3.0，最大容量512GB，使用了96层堆栈3D NAND闪存，读取速度可达750MB/s，是前代的两倍，如此高速的性能将为未来的5G设备提供更好的体验。

西数去年底就宣布量产96层堆栈的3D NAND闪存了，这次推出的iNAND EU511嵌入式闪存也是96层堆栈的，虽然西数官方没有公布具体类型，但不太可能是QLC闪存，应该还是3D TLC，因为今年1月底东芝也发布了UFS 3.0闪存，就是96层堆栈3D TLC闪存，两家公司推新一代产品的步骤是差不多的。

西数的EU511闪存支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane规范，而UFS 3.0单通道双向11.6Gpps，因此双通道双向带宽的理论最高值就是23.2Gbps，大约是2.9GB/s。

容量方面，iNAND EU511闪存最低64GB，最高512GB，而且凭借西数的SmartSLC Generation 6技术使得读取速度达到了750MB/s，官方表示连续读取性能是前代的两倍。

这样的性能也让新一代UFS 3.0闪存为即将到来的5G时代做好准备，西部数据公司Devices事业部高级总监Oded Sagee表示：“智能手机正在日益成为万物互联的中心。高速5G网络旨在实现比之前快100倍的数据传输速度，并在更多的设备上部署人工智能(AI)。人工智能（AI）由集成式神经处理单元(NPU)所驱动，允许我们访问大数据和快速数据，这将改变我们使用智能手机的方式。面对实时边缘计算的高需求，严格的数据捕获标准和访问模式将成为5G设备必须满足的基本条件。有了UFS 3.0嵌入式闪存盘，西部数据可以让用户按需、无缝、即时地体验5G应用的新威力。”

西数iNAND EU511闪存目前已经开始给OEM客户出样。