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关于 闪存 的消息

长江存储将向苹果供应NAND闪存芯片,用于新一代iPhone 14系列手机

数个月前有报道称,苹果正在寻求增加iPhone存储芯片供应商,有可能是国内的长江存储。苹果正在测试长江存储生产的NAND闪存芯片样品,进行验证已有一段时间,甚至有传言长江存储128层堆叠的3D NAND闪存已通过苹果的验证。

本季度NAND闪存价格跌幅扩大到30%至35%:市场需求冷淡,卖家库存压力大

此前TrendForce表示,2022年第三季度供应链库存积压有蔓延的趋势,同时分销商去库存缓慢,客户也普遍持观望态度,使得供需平衡快速恶化,预计2023年第三季度NAND闪存价格下跌幅度为8%到13%,趋势会延续到2022年第四季度。

三星或在今年内推出236层3D NAND闪存,以保证市场领先地位

这个月初,SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存,已向合作伙伴发送了238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。

DRAM需求按位元增长仅8.3%创新低,NAND闪存或以降价带动容量增长

此前TrendForce的调查报告显示,由于受到多方不利因素影响,导致电子需求疲软,加上DRAM现有的库存水平,预计2022年第三季度整体DRAM价格将下跌3%到8%,某些用于PC和智能手机的DRAM产品下跌幅度可能超过8%。NAND闪存也有类似的情况,TrendForce预计NAND闪存价格下跌幅度扩大至8%到13%,趋势会延续到2022年第四季度。

三星公布下一代内存和存储技术,确认业界首款UFS 4.0闪存已量产

三星在2022全球闪存峰会(Flash Memory Summit,FMS)上,推出了一系列下一代内存和存储技术。在题为“Memory Innovations Navigating the Big Data Era”的主题演讲中,三星重点介绍了推动大数据市场进步的四个技术领域,分别为数据移动、数据存储、数据处理和数据管理,并展示了针对每一个领域的解决方案。

SK海力士宣布研发出业界最高238层NAND闪存,并计划在2023H1量产

SK海力士宣布,已成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。目前SK海力士已经向合作伙伴发送238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。在近日举行的2022全球闪存峰会上,该款238层NAND闪存也进行了首次亮相。

长江存储推出基于晶栈3.0架构的第四代3D TLC闪存:I/O速度达2400MT/s

长江存储在2022年闪存峰会(FMS)上,正式发布了基于晶栈3.0(Xtacking 3.0)架构的第四代3D TLC闪存芯片,名为X3-9070。相比上一代产品,X3-9070拥有更高的存储密度、更快的I/O速度。

美光量产全球首款232层3D TLC NAND闪存:密度最高,最先用于英睿达SSD

美光宣布,已开始量产全球首款232层的3D TLC NAND闪存,采用领先行业的创新技术,为存储解决方案带来了前所未有的性能。与过往美光的NAND闪存芯粒相比,232层的NAND闪存有着业界最高的密度,并提供了更大的容量和更高的能效,从而为客户端到云端等数据密集型用例提供一流的支持。

2022Q3的NAND闪存价格跌幅扩大,供应链将面临积压问题

由于受到西部数据和铠侠(Kioxia)的生产材料污染事件影响,2022年第二季度的NAND闪存价格由跌转涨。然而消费电子产品在2022年第二季度的销量低于预期,加上NAND闪存工艺进步和产能的提升,使得NAND闪存市场开始出现供过于求的状况。

苹果M2版MacBook Pro入门机型SSD性能降级,单个NAND闪存芯片所致

在这个月的WWDC 2022开发者大会上,苹果发布了全新一代的M2芯片。搭载M2的13英寸MacBook Pro及新款MacBook Air,入门机型的配置为8GB内存搭配256GB存储空间。

2022Q3的NAND闪存市场供过于求,预计价格最多下跌5%

在2022年第二季度中,由于受到西部数据和铠侠(Kioxia)的生产材料污染事件影响,NAND闪存价格由跌转涨。不过随着生产的恢复,西部数据和铠侠的产量也在逐月增长,然而智能手机和笔记本电脑等消费电子产品的需求不再,使得NAND闪存市场开始出现供过于求的状况。根据TrendForce发布的最新调查报告,预计2022年第三季度NAND闪存价格将下跌,幅度在5%以内。

铠侠正在研发七级单元的3D NAND闪存,主控芯片开发亦成为难点

NAND闪存制造商一直尝试增加每个单元存储的位数来提高存储密度,从成本角度出发,这是一种非常具有价值的方法。Kioxia(铠侠)在这方面一直非常积极,早在2019年就开始讨论五级单元的PLC 3D NAND闪存,去年还曾展示六级单元的HLC 3D NAND闪存。

美光推出232层3D TLC NAND闪存:初始容量1Tb,2022年末量产

美光宣布,将推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存。目前美光已准备在2022年末开始生产新款232层3D TLC NAND闪存芯片,并计划将其用在包括固态硬盘在内的各种产品上。

三星推出UFS 4.0闪存解决方案:业界首款新标准产品,读取速度可达4200MB/s

三星宣布,推出UFS 4.0闪存解决方案,这是首款符合最新JEDEC标准规范的产品。与之前的UFS 3.1相比,新标准在性能和耗能方面做了诸多改进。作为全球主要的手机零部件供应商,相信UFS 4.0闪存很快会出现在各个品牌的新一代旗舰手机上。

Intel闪存业务并入Solidigm后,推出首款产品D7-P5520和D7-P5620

Intel其实很早之前就把自己的NAND相关业务卖给了SK海力士,而在2021年末就展开了两家公司业务相关的第一阶段合并,SK海力士成立了子公司Solidigm以处理Intel的NAND SSD相关业务,接管了Intel现有SSD产品的销售工作,而现在Solidigm正式发布了首款产品,面向企业级市场的D7-P5520和D7-P5620。

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