随着人们对智能手机的要求越来越高，存储芯片厂商以及手机厂商使用了很多方式来提高手机的存储性能以平衡手机的整体性能。苹果通过使用PC平台的nvme技术来大幅提高手机的存储容量和速度。而更普遍的做法是通过使用UFS技术的芯片来达到这个目的。自2015年以来手机厂商开始使用UFS 2.0技术的闪存芯片以来，智能手机的存储容量和速度有了大幅度提高，在最新的设备中已经能达到顺序读写性能分别为900MB/s以及300MB/s的高速。今天，为了再次提高移动设备的存储性能，三星正式宣布开始量产基于其第五代V-NAND技术的eUFS 3.0闪存芯片。

新款的芯片采用了最新的eUFS 3.0规范，在传输速度上达到了前代使用eUFS 2.1规范产品的两倍。在顺序读取速度上达到了2100MB/s，而在顺序写入速度上达到了460MB/s,亦为前代产品的1.58倍。同时在随机读写上也有一定的提升，分别达到了63,000 IOPS以及6,8000 IOPS，性能提升相当明显，达到部分笔记本SSD的性能水平不会让数据传输速度成为智能手机的瓶颈。

在容量上，由于采用新的V-NAND技术，使得容量有了明显提升。三星在这个月出货128GB和512GB的版本。到今年下半年，三星还将量产容量高达1TB的版本，以扩大其生产线。

而首款使用eUFS 3.0芯片的手机就是三星刚刚发布的Galaxy Fold。作为首款吃螃蟹的机型，希望在这款手机在存储性能上有出色的表现。实际上高通骁龙855以及三星自家Exynos 9820已经支持UFS 3.0技术，随着UFS 3.0闪存芯片的大量铺货，相信不久就会有更多的采用eUFS 3.0的手机量产。