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    作为其2019年Q1财报业绩公布的一部分,SK海力士宣布,公司将提高其第一代10纳米级制造工艺(即1X nm)的DRAM产量,并将今年下半年开始生产、销售其制造的第二代10纳米级制造技术(又名1Y nm)的内存。加速向10纳米级技术的过渡将使该公司能够增加DRAM位输出,最终降低成本,并为下一代内存做准备。

    使用SK海力士1Y nm生产技术制造的首批产品将是其8 Gb DDR4-3200内存芯片。海力士表示,与使用其1X nm制造技术的类似器件相比,新的生产工艺能够将8 Gb DDR4器件的芯片尺寸缩小20%,并将其功耗降低15%。此外,SK海力士即将推出的8 Gb DDR4-3200芯片具有两项重要改进:四相时钟方案以及Sense放大器控制技术。四相时钟提高了信号强度,可在高数据传输速率下保持稳定;同时,SAC降低了晶体管尺寸缩小时可能发生的数据错误的可能性。

    虽然这些技术即使在现在对于DDR4也很重要,但据报道SK海力士将使用它的1Y nm工艺制造DDR5,LPDDR5和GDDR6 DRAM。因此,海力士必须尽快提升其第二代10纳米级制造技术,为未来做好准备。

    SK海力士过渡到10纳米级DRAM制造技术的速度相当缓慢。美光和三星的第二代10纳米级的2款产品已经开始出货了,SK海力士的第二代10纳米级制造技术似乎将在2019年下半年才用于商业产品。而海力士2019年Q1季度财报显示其利润同比暴跌65%,虽然它预言今年第二季度将略有回升,第三季度的服务器需求将大幅增长,再加上5G手机的布局入市,也许内存价格真的已经摸到寡头们的底线了?


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    已有 1 条评论,共 9 人参与。
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    • 超能网友教授 2019-04-26 11:22    |  加入黑名单

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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