SK hynix宣布完成176层4D NAND闪存颗粒的研发。在上个月已经将样品提供给客户以制造方案产品。

据韩联社报道，目前176层4D NAND闪存颗粒是业界最高水平，在生产率上比上一代128层产品提高了35%以上，降低了单位产品的成本，增强了产品成本竞争力。新的176层4D NAND闪存颗粒的读取速度比上一代加快20%，数据传输速度达到每秒1.6Gb，提高了33%。

此前我们就已经报道过：美光已正式宣布将向客户交付176层TLC NAND闪存，与128LNAND 相比，读（写）延迟降低了25%以上。目前已经搭载在某些英睿达的消费级SSD产品中。

作为存储市场的老大三星表示，将在2021年量产第七代V-NAND，使用“双堆栈”技术，具体堆叠层数并未透露，但堆叠层数有望达到256层。

根据一份CFM（中国闪存市场）的数据显示，2020年第三季度NAND Flash营收三星仍以市场份额33.3%高居第一；铠侠市场份额21.4%，排名第二，西部数据排第三；SK海力士排名第四；美光位列第五；英特尔排名第六位，长江存储市占份额已经超过1%排名第七。

目前存储市场竞争非常激烈，各家厂商技技术迭代非常快，NAND颗粒的堆叠的数字也是越来越大，而且随着国产厂商的努力，市场也变的不再是那么的垄断，前面的领头厂商为了市场地位，对新技术的研发力度也会继续增大。