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    SK hynix宣布完成176层4D NAND闪存颗粒的研发。在上个月已经将样品提供给客户以制造方案产品。

    据韩联社报道,目前176层4D NAND闪存颗粒是业界最高水平,在生产率上比上一代128层产品提高了35%以上,降低了单位产品的成本,增强了产品成本竞争力。新的176层4D NAND闪存颗粒的读取速度比上一代加快20%,数据传输速度达到每秒1.6Gb,提高了33%。

    此前我们就已经报道过:美光已正式宣布将向客户交付176层TLC NAND闪存,与128LNAND 相比,读(写)延迟降低了25%以上。目前已经搭载在某些英睿达的消费级SSD产品中。

    作为存储市场的老大三星表示,将在2021年量产第七代V-NAND,使用“双堆栈”技术,具体堆叠层数并未透露,但堆叠层数有望达到256层。

    根据一份CFM(中国闪存市场)的数据显示,2020年第三季度NAND Flash营收三星仍以市场份额33.3%高居第一;铠侠市场份额21.4%,排名第二,西部数据排第三;SK海力士排名第四;美光位列第五;英特尔排名第六位,长江存储市占份额已经超过1%排名第七。

    目前存储市场竞争非常激烈,各家厂商技技术迭代非常快,NAND颗粒的堆叠的数字也是越来越大,而且随着国产厂商的努力,市场也变的不再是那么的垄断,前面的领头厂商为了市场地位,对新技术的研发力度也会继续增大。

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    已有 4 条评论,共 21 人参与。
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    • 超能网友教授 2020-12-08 10:37    |  加入黑名单

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      4#

    • 超能网友一代宗师 2020-12-08 08:17    |  加入黑名单

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      3#

    • 超能网友大学生 2020-12-08 07:30    |  加入黑名单

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      2#

    • 超能网友终极杀人王 2020-12-07 19:02    |  加入黑名单

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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