台积电打算将特殊制程产能提升50%，并推出N4e超低功耗工艺

随着德国和日本新建晶圆厂项目的落实，以及中国大陆晶圆厂的产能扩张，台积电（TSMC）计划到2027年，将自身的特殊制程产能提升50%。台积电不仅仅满足于将现有生产线转换到特殊制程，甚至还另外加建新的生产线，推动这一需求的主要原因之一，是新一代特殊制程工艺的到来。

据Anandtech报道，台积电在本周举行的技术研讨会上透露，这是其长期以来首次为满足专业技术需求专门建造生产线，接下来的四到五年里，逐步将特殊制程产能提升到目前的1.5倍，不但扩大了制造网络的足迹，还提高了整个晶圆厂供应链的弹性。

除了大家熟悉的N5和N3等为逻辑芯片服务的制程工艺外，台积电还提供了一系列的特殊制程工艺的代工服务，包括用户制造功率半导体、CMOS图像传感器、混合模拟I/O和超低功耗应用（比如物联网）等。一般来说，这些特殊制程的工艺会相对落后一些，但无论采用何种底层技术，产能需求都与台积电主要的逻辑制程节点需求同步增长，而台积电也会定时重新评估，规划特殊制程的产能。

全面扩大不同工艺的生产能力是台积电近年来的扩张目标之一，为了满足未来对所有类型工艺技术的需求，台积电也在积极开发先进的特殊制程工艺，下一个到来的是N4e，这是基于4nm打造的超低功耗工艺，不过台积电没有透露太多的技术细节。目前台积电最先进的同类工艺是N6e，工作电压在0.4V至0.9V之间，未来N4e可能会降至0.4V以下。