三星在去年的“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上，确认在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，分为早期的3GAE以及3GAP。近日，三星表示有望在本季度开始使用3GAE制造工艺进行大批量生产，在一份声明中写道：
“这是世界上首次大规模生产3nm GAA工艺来提高技术领先的地位。”
据三星介绍，MBCFET多桥-通道场效应晶体管工艺是其第一个使用的GAAFET工艺，作为一种全新的形式，不但保留了GAAFET工艺的优点，而且兼容之前的FinFET工艺技术。使用其3GAE技术生产的256Mb GAAFET SRAM芯片时，可实现30%的性能提升、50%的功耗降低以及晶体管密度提高80%（包括逻辑和SRAM晶体管的混合）。
三星表示，除了功耗、性能和面积（PPA）上的改进，随着制程技术成熟，3nm工艺的良品率将会接近4nm工艺。不过鉴于过往这些年三星在5nm和4nm芯片制造上遇到的问题，这次3nm工艺的性能和功耗实际情况如何还有待观察。暂时还不清楚谁将成为三星3nm工艺的首家客户，毕竟过渡到全新的晶体管工艺是存在一定风险的，而且芯片设计人员需要开发全新的IP，价格并不便宜。
竞争对手之一的英特尔在Intel 7/4/3制程节点仍依赖FinFET，最早会在2024年才转向新型晶体管（称为RibbonFET）。另一个竞争对手台积电在N4和N3制程节点仍使用FinFET，要到N2制程节点才引入GAA工艺，大概会在2024年投入生产。
终结之谷瀑布教授 2022-04-29 13:50 | 加入黑名单
说个有意思的吧，其实当初intel在22nm就用了FinFET，研发14nm的时候考虑用EUV，结果听说EUV难产，所以自己另辟蹊径走了更难的路，走了4年没走通，结果台积电用现成的EUV直接用，intel那边骑虎难下。
已有1次举报intel还打算10nm上GAA，结果仍然是步子太大，先是跳票两年，之后是发现还是搞不定，只能砍掉了GAA，用了个乞丐版10nm，然后还给改名到了intel 7，至于真的GAA，更是不知道啥时候能用了
你觉得这么难的东西，三星搞得定？
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Geo0099等待验证会员 2022-04-30 06:39 | 加入黑名单
不过鉴于过往这些年三星在5nm和4nm芯片制造上遇到的问题，这次3nm工艺的性能和功耗实际情况如何还有待观察。
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狱彩真的很嗨美博士 2022-04-29 16:20 | 加入黑名单
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