近日,三星在“Samsung Foundry Forum 2022”上,公布了未来的技术路线图。三星表示,将会在2025年开始大规模量产2nm工艺,更为先进的1.4nm工艺预计会在2027年量产,同时还会加速2.5D/3D异构集成封装技术的开发,为代工服务提供整体系统解决方案,预计2024年将提供名为X-Cube的3D封装解决方案。
三星表示到2027年,HPC、汽车和5G芯片的比例将超过50%,计划瞄准高性能和低功耗的半导体市场,并将先进制程节点的产能扩大三倍以上。三星将增强其基于GAA的3nm工艺,用于HPC和移动设备的芯片;目前三星为汽车级芯片提供28nm eNVM解决方案,计划2024年将推进到14nm eNVM解决方案,未来还会有8nm eNVM解决方案;射频芯片方面,继14nm工艺后,会有8nm工艺,5nm工艺也在开发当中。
在DRAM领域,三星宣布其最新的第五代10nm级(1b)芯片将在2023年之前开始批量出货,并对10nm以下级别的DRAM制造进行探索性研究,这需要新的设计和材料。三星在这方面领先于大多数竞争对手,目前一般在14nm制程节点上制造DRAM芯片。此外,三星开发当中的GDDR7将会是未来GPU的助推器,其速率达到了36 Gbps,在现有18 Gbps的GDDR6基础上翻倍。
三星还在进行第九代和第十代V-NAND技术的开发工作,计划今年末发布基于第八代230层V-NAND芯片,512Gb芯片的存储密度将增加42%,预计到2030年将实现1000层的V-NAND芯片。三星还致力于QLC方面的研究,希望能进一步提高性能,同时增加存储位密度。
我匿名了 2022-10-09 11:54
所以太极店涨价大家都开心了?
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lyahehehehe教授 2022-10-08 21:13 | 加入黑名单
讲个笑话,三星的先进工艺
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asight等待验证会员 2022-10-08 14:58 | 加入黑名单
先把固态盘0E错误解决了再说吧,坑爹货
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