E X P
  • 编辑
  • 评论
  • 标题
  • 链接
  • 查错
  • 图文
  • 拼 命 加 载 中 ...

    近日,三星在“Samsung Foundry Forum 2022”上,公布了未来的技术路线图。三星表示,将会在2025年开始大规模量产2nm工艺,更为先进的1.4nm工艺预计会在2027年量产,同时还会加速2.5D/3D异构集成封装技术的开发,为代工服务提供整体系统解决方案,预计2024年将提供名为X-Cube的3D封装解决方案。

    三星表示到2027年,HPC、汽车和5G芯片的比例将超过50%,计划瞄准高性能和低功耗的半导体市场,并将先进制程节点的产能扩大三倍以上。三星将增强其基于GAA的3nm工艺,用于HPC和移动设备的芯片;目前三星为汽车级芯片提供28nm eNVM解决方案,计划2024年将推进到14nm eNVM解决方案,未来还会有8nm eNVM解决方案;射频芯片方面,继14nm工艺后,会有8nm工艺,5nm工艺也在开发当中。

    在DRAM领域,三星宣布其最新的第五代10nm级(1b)芯片将在2023年之前开始批量出货,并对10nm以下级别的DRAM制造进行探索性研究,这需要新的设计和材料。三星在这方面领先于大多数竞争对手,目前一般在14nm制程节点上制造DRAM芯片。此外,三星开发当中的GDDR7将会是未来GPU的助推器,其速率达到了36 Gbps,在现有18 Gbps的GDDR6基础上翻倍。

    三星还在进行第九代和第十代V-NAND技术的开发工作,计划今年末发布基于第八代230层V-NAND芯片,512Gb芯片的存储密度将增加42%,预计到2030年将实现1000层的V-NAND芯片。三星还致力于QLC方面的研究,希望能进一步提高性能,同时增加存储位密度。

    ×
    热门文章
    1微星将带来“首款AI游戏显示器”:MEG 321URX QD-OLED,定价1699.99美元
    2超频三推出RT400/500数显风冷散热器:单塔4/5热管设计,可视化显示CPU温度
    3英特尔称Intel 3工艺已进入大规模生产:面向数据中心产品的制程节点
    4美商海盗船MP600 Mini新增2TB版:大容量M.2 2230规格PCIe 4.0 SSD
    5Thermaltake钢影·透EX机箱评测:价格亲民的大品牌海景房
    6美商海盗船3500X环绕海景中塔机箱发售:强大散热和基础功能结合,749元起
    7《反恐精英》系列迎来25周年纪念:不变的2个阵营,5人协力,和永远的求胜之心
    82024Q1全球OLED平板面板出货量创历史新高,苹果占比近一半
    9三星和SK海力士将在3D DRAM应用混合键合技术,最快2025年引入新结构
    已有 3 条评论,共 12 人参与。
    登录快速注册 后发表评论
    • 我匿名了  2022-10-09 11:54

      所以太极店涨价大家都开心了?

      支持(0)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      3#

    • lyahehehehe一代宗师 2022-10-08 21:13    |  加入黑名单

      讲个笑话,三星的先进工艺

      支持(0)  |   反对(5)  |   举报  |   回复

      2#

    • asight等待验证会员 2022-10-08 14:58    |  加入黑名单

      先把固态盘0E错误解决了再说吧,坑爹货

      支持(1)  |   反对(3)  |   举报  |   回复

      1#

    提示:本页有 3 个评论因未通过审核而被隐藏

    登录 后发表评论,若无帐号可 快速注册 ,请留意 评论奖罚说明