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    三星在3nm工艺上引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管架构,目前已成功量产。按照三星公布的半导体工艺路线图,其计划在2025年开始大规模量产2nm工艺,而更为先进的1.4nm工艺预计会在2027年量产。

    据The Elec报道,三星计划使用一种称为“BSPDN(背面供电网络)”的技术,用于2nm芯片上。三星的研究员Park Byung-jae在SEDEX 2022上,就介绍了BSPDN的相关情况,表示技术从过去的高k金属栅极工艺到FinFET,接着迈向MBCFET,然后到BSPDN。相信不少人对FinFET都非常熟悉,过去被称为3D晶体管,是10nm级工艺的关键技术,而目前三星已转向GAAFET。

    未来借助小芯片设计方案,可以不再在单个芯片上应用同种工艺,而是可以连接来自不同代工厂不同工艺制造的各种芯片模块,也称为3D-SOC。BSPDN可以理解为小芯片设计的演变,将逻辑电路和内存模块并在一起,与现有方案不同的是,正面将具备逻辑功能,而背面将用于供电或信号路由。

    事实上,BSPDN并不是首次出现。其作为概念于2019年IMEC研讨会上被提出,2021年IEDM的一篇论文中又做了引用。据称,2nm工艺应用BSPDN,经过后端互联设计和逻辑优化,可以解决FSPDN造成的前端布线堵塞问题,将性能提高44%,功率效率提高30%。

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