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　　上个月报道过P55主板极限超频可能会烧毁主板插座的问题，最近Tomshardware通过测试又发现了存于早期P55主板上另一个隐患：提升电压极易造成MOSFET管或电容的烧毁。

　　测试中出现问题的主板包括了ASRock P55 Pro、ECS P55H-A以及MSI P55-CD53，搭配Core i7-870处理器，设置核心电压为1.45V进行超频时以上三款主板均出现了问题：

　　首先是ASRock P55 Pro出现烧毁MOSFET的问题，即使把CPU核心电压下调到1.4V的电压下亦同样会烧毁MOSFET管。

　　精英P55H-A主板有0.29V的掉压，根据CPU负载情况核心电压在1.39V~1.41V之间跳动，在爆掉了电容后机器依然运作，必须手动关机。

　　微星的P55-CD53主板亦同样出现了严重的掉压现象，设置CPU核心电压为1.44V时实际电压仅有1.36V，在如此电压下使用Prime95拷机几分钟即爆掉了MOSFET管。

　　为何会出现这么严重的烧毁现象呢？分析其原因应该是由于早期P55主板相比X58主板所支持的CPU TDP大幅下降，由130W降到95W，故设计人员亦按照相同的下降比例进行供电部分的设计和布局，并没有针对加压超频后的功耗飙升留出足够的余量。

　　另外，主板厂商在设计P55主板供电部分时貌似会使用Intel原装CPU散热风扇作为参照对象，设想CPU风扇会向下吹风，对供电四周元器件进行散热，帮助带走MOSFET上积聚的热量，故在设计CPU供电部分时并没有留下足够的余量，而在超频时使用塔式散热器对CPU供电部分散热是没有多少帮助的，这样在这些P55主板上烧毁的大多数为供电部分的MOSFET管也不难解释了。

　　对于测试中出现的问题，ASRock第一个作出了回应，承认在设计P55主板的CPU供电部分时，由于受到LGA1156插座的限制而设置了较小的负载值，不过ASRock随后即提供了具备“过流保护”功能的新版BIOS，可解决烧毁MOSFET管的问题。