三星研究将MUF应用到服务器DRAM，改善封装工艺并提高生产效率

据The Elec报道，三星正在考虑在其下一代DRAM中使用应用模压填充（MUF）技术。三星最近对3D堆栈（3DS）内存进行了大规模的MR MUF工艺测试，结果显示与现有的TC NCF（热压非导电膜）相比，吞吐量有所提高，但物理特性却有所下降。

传闻三星芯片部分的一位高级主管在去年下令对MUF技术进行测试，得出的结论是MUF不适用于高带宽内存，也就是HBM类产品，最为合适的对象是3DS RDIMM。一般情况下，3DS RDIMM采用了硅通孔（TSV）技术制造，主要用于服务器产品。硅通孔技术意思就是在Wafer或者Die上穿出数千个小孔，实现硅片堆叠的垂直互连通道，而MUF则是上下连接，缩小相互之间间隙的材料，有助于紧密凝固和结合各种垂直堆叠的半导体。

MUF是一种环氧树脂模塑化合物，在SK海力士成功将其应用于HBM2E生产后，受到了芯片行业的关注。SK海力士使用的这种化合物是与Namics合作生产的。三星计划与SDI合作开发自己的MUF化合物，而且已经从日本订购了MUF所需要的相关设备，看起来要推进到下一阶段，以实现更先进的封装工艺，并提高生产效率。

尽管如此，目前三星将继续在HBM生产中使用TC NCF。竞争对手美光也打算这么做， MUF材料被认为在避免晶圆翘曲方面更有优势。