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在去年底首推54nm制程2Gb移动内存芯片之后，海力士日前宣布了全球首款基于40nm工艺的2Gb低功耗DDR2内存芯片，面向智能手机、智能本和平板电脑等移动设备。
该芯片的工作电压仅为1.2V，传输速度可达1066Mbps，采用MCP多芯片和PoP层叠堆装两种封装方式，通过32-bit I/O每秒可处理4.26GB的数据，功耗仅为目前其他移动存储方案的一半，并符合JEDEC标准。
海力士计划在上半年开始量产该内存芯片，以满足市场对高密度移动内存芯片的需求。
