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关于 存储器 的消息

2025年存储器产业营收预计将创新高:HBM和QLC技术崛起和价格上涨推动

TrendForce发布了新的调查报告,显示受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格,加上高带宽内存(HBM)等高附加价值产品的崛起,预计DRAM及NAND闪存产业2024年的营收按年增长幅度分别为75%和77%。同时2025年将延续增长势头,预计DRAM及NAND闪存产业的营收按年增长幅度分别为51%和29%,将创下历史新高。

显存已成为继HBM之后的新战场:三大存储器制造商争夺英伟达订单

今年3月,JEDEC发布了JES239 Graphics Double Data Rate 7,即GDDR7标准,可提供两倍于GDDR6的带宽,以满足未来图形、游戏、计算、网络和人工智能应用对高内存带宽不断增长的需求。

国内HBM开发取得进展:两家存储器制造商跟进,目标2026年生产HBM2

近年来高带宽内存的需求急剧上升,随着人工智能(AI)热潮的到来,让这一趋势愈加明显。三星、SK海力士和美光是HBM市场的三大巨头,目前都在加速开发新产品,并积极地扩张产能。

三星认为High-NA EUV有利于逻辑芯片制造,但存储器或面临成本问题

近日在美国加利福利亚州圣何塞举行的SPIE先进光刻技术会议上,来自光刻生态系统不同部门的专家讨论了Low-NA和High-NA EUV光刻技术的前景,观点从高度乐观到谨慎,特别是High-NA EUV方面,三星表达了担忧。

长鑫存储计划生产HBM内存,填补国产存储器产品空缺

近年来高带宽内存的需求急剧上升,尤其是随着人工智能(AI)热潮的到来,让这一趋势愈加明显。三星、SK海力士和美光是HBM市场的三大巨头,目前都在开发新产品,特别是HBM4等下一代技术受到了业界的极大关注,预计未来将占据主导地位。

SK海力士将在CES 2024展示AI存储器产品:带来基于HBM3E的生成式AI技术

SK海力士宣布,将参加2024年1月9日至12日在美国拉斯维加斯举行的世界最大规模电子、IT展会“国际消费电子产品展览会(CES 2024)”,届时展示未来AI基础设施中最为关键的超高性能存储器技术实力。

2022年全球内存场景营收年减4.6%,存储器已经进入涨价周期

根据TrendForce集邦咨询的报告显示,高通胀打击消费者对电子产品的需求,2022年全球内存模组销售额达173亿美元,同比下降4.6%。由于模块制造商提供的领域不同,其收入表现差异很大。

三星开始量产车用UFS 3.1存储器解决方案:最大512GB,业界最低能耗

三星宣布,已开始量产针对车载信息娱乐(IVI)系统进行优化的新型UFS 3.1存储器解决方案。其提供了业界最低的能耗,让汽车制造商能够为消费者提供最佳的出行体验。

日本半导体设备2023年销售预期大幅下调,存储器制造商投资意愿减弱是主因

据DigiTimes报道,由日本半导体供应商组成的日本半导体制造设备协会(SEAJ)公布了2023年度(指202304至202403)的销售预期,从几个月前按年减少5%,调低至按年减少23%,向下调整幅度远远超过之前的预期。

西部数据宣布将减少投资和产量,存储器半导体市场持续低迷

近期存储器半导体市场非常低迷,需求疲软且库存水平处于高位,西部数据作为世界第四大NAND闪存厂商,近期决心降低NAND闪存的产量,另外也会减少对设施的投资。

SK海力士推出CMS模块,首款具有计算功能的CXL存储器解决方案

SK海力士在两个月前宣布,已开发出首款基于DDR5 DRAM的CXL存储器样品,计划于2023年投入量产。现在SK海力士更进一步,宣布成功开发了业界首款搭载计算功能的CXL存储器解决方案(CMS),在一个512GB的CXL内存模块中集成了计算功能。

SK海力士宣布已开发出DDR5 DRAM CXL存储器,将进一步扩大CXL生态系统

SK海力士宣布,已开发出首款基于DDR5 DRAM的CXL存储器样品,将加快抢占下一代内存解决方案市场的步伐,计划于2023年投入量产。此次SK海力士的CXL存储器采用了EDSFF E3.S规格的外形,支持PCIe 5.0 x8通道,配备了CXL控制器,使用了DDR5标准DRAM。

紫光董事长赵伟国:2020年进入世界存储器第一梯队

中国2020年要实现芯片自给率40%的目标,存储器产品已经是国内建设的重点,上个月紫光集团收购了武汉新芯科技,成立了长江存储科技有限公司,紫光董事长赵伟国担任长江科技董事长。日前在陪同政协副主席、科技部长万钢视察时,赵伟国表示2020年长江科技将进入世界存储器企业第一梯队,该项目为中国芯片自给率贡献8%的目标。

紫光收购武汉新芯公司,360亿美元打造世界级存储芯片基地

中国打造世界级NAND闪存、DRAM内存等存储芯片公司的雄伟计划已经人人皆知,新芯公司主导的武汉存储器基地就是国家级的项目,投资将超过240亿美元,此外安徽合肥、福建晋江、深圳等地也在上马类似项目。武汉的项目原本跟紫光无关,但昨晚有消息称紫光公司已经收购汉芯公司多数股权,紫光董事长赵伟国将担任武汉新芯控股公司的董事长。

Crossbar开发出新型存储器RRAM,单芯片容量达1TB

  近日Crossbar公司宣称开发出一种先进的非易失性存储器,在一块芯片上可以存储1TB容量的资料,而且它的速度比传统NAND闪存要快20倍,寿命是普通NAND闪存的10倍。   他们采用的技术被称为Resistive RAM(电阻式记忆体),或是RRAM。在大小为200平方毫米的芯片上就可以做到1TB的容量,能装下250部高清电影,超过10万张高分辨率图片。

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