关于 SK Hynix 的消息

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SK海力士推进龙仁半导体集群计划：投资约9.4万亿韩元建造首座Fab和业务设施

SK海力士宣布，已通过董事会决议，将投资约9.4万亿韩元（约合67.82亿美元/人民币491.62亿元）建设韩国龙仁半导体集群的首座厂房（Fab）和业务设施。SK海力士表示，通过龙仁半导体集群，一方面夯实了未来发展基础，并及时应对日益剧增的面向人工智能（AI）的半导体存储器需求，另一方面加强了韩国半导体产业竞争力，并为经济发展做出贡献。

吕嘉俭 | 发布于17小时之前

SK海力士公布2024Q2财报：季度收入创历史新高，NAND闪存连续两季度盈利

近日，SK海力士（SK hynix）公布了截至2024年6月30日的2024财年第二季度财务报告，季度收入创历史新高，营业利润自2018年以来重回5万亿韩元水平。SK海力士称，时隔一个季度债务减少了4.3万亿韩元，将以稳定的财务结构为基础，巩固面向人工智能（AI）的存储器全球领先的地位。

吕嘉俭 | 发布于1天之前

SK海力士希望加强AI和芯片事业发展：未来三年将投资约746亿美元

目前SK海力士在高带宽内存（HBM）市场占据主动地位，同时也占据了约35%的DRAM市场份额。作为最大的存储器生产商之一，SK海力士希望可以投资当前科技发展的热门方向，进一步提升业内的竞争力。

吕嘉俭 | 发布于2024-07-01 14:08

SK海力士开发高性能PCB01 SSD：面向AI PC，支持PCIe5.0 x8接口

SK海力士宣布，已开发出用于端侧（On-Device）AI PC的业界最高性能SSD产品“PCB01”。端侧AI意思是备本身上实现AI运行，终端设备自行收集信息并进行计算，而非依赖物理分离的服务器完成，可提升AI功能的反应速度、加强用户定制性AI服务功能。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-28 23:21

SK海力士5层堆叠3D DRAM良品率已达56.1%，具有与2D DRAM相似的特性

三星、SK海力士和美光是全球领先的三大存储器制造商，近期在存储领域的竞争变得愈发激烈。除了数据中心GPU所使用的HBM产品，以及即将到来的新一代游戏显卡采用的GDDR7，现在竞争还延伸到未来的3D DRAM领域。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-25 14:28

三星和SK海力士将在3D DRAM应用混合键合技术，最快2025年引入新结构

三星和SK海力士是存储器领域的领导者，位列DRAM行业前两名，都已投入到3D DRAM商业化进程中，希望借此改变存储器行业的游戏规则。排在第三的美光从2019年起就开始了3D DRAM的研究，获得的专利数量是三星和SK海力士的两到三倍，这也迫使三星和SK海力士加快3D DRAM的开发。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-20 16:26

HBM4竞争已经开启：堆叠挑战依然存在，混合键合技术是关键

近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM产品的需求也在迅速增长，三星、SK海力士和美光三家主要存储器制造商都加大了投入。SK海力士作为目前HBM领域的领导者，首次现身COMPUTEX 2024，展示了最新的HBM3E和MR-RUF技术，表示混合键合将在芯片堆叠中发挥至关重要的作用。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-08 16:25

SK海力士计划扩大存储市场布局，与HLDS共创Super Multi品牌

SK海力士是全球主要的半导体企业之一，也是存储器市场除了三星以外最大的制造商。与三星不同，SK海力士更多地关注存储芯片的生产，自家旗下的产品也主要以商用领域为主导，消费领域相对来说资源投入较少。不过近年来，SK海力士也开始在消费端发力，比如Platinum P41系列SSD就获得了不错的市场口碑。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-07 14:31

SK海力士打算在1cnm DRAM上采用Inpria MOR光刻胶，三星也有同样的考虑

此前有报道称，SK海力士正在准备第六代10nm级别的1cnm工艺的DRAM产品，已经制定了对应的客户认证及生产计划，打算在2024年第三季度量产。相比于现有第五代10nm级别的1β (b) nm工艺，在同样采用EUV光刻技术的情况下，每片晶圆可生产更多数量的芯片，并实现更高的功率效率。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-30 16:20

SK海力士希望进一步提升HBM4E性能：将集成计算和缓存功能

为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，SK海力士与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。随后SK海力士HBM先进技术团队负责人确认，将加快HBM代际更迭周期，从HBM3E开始，由以往的两年变成了一年，HBM4E最早会在2026年出现。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-29 17:28

台积电准备HBM4基础裸片：将采用N5和N12FFC+工艺制造

上个月，SK海力士宣布与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4。据了解，台积电将生产用于HBM4的基础裸片（Base Die），这是双方针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片优化工作的一部分。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-17 12:19

SK海力士加速推进HBM4E：最早或2026年完成开发

为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，此前SK海力士已决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM3E等新一代DRAM的生产能力。与此同时，SK海力士还与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。