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SK Hynix无锡二厂竣工:月产18万片DRAM晶圆,全球第一

DRAM内存市场从2018年Q4季度进入熊市,DRAM颗粒均价不断下跌,跌幅从去年底的10%不断扩大,Q1季度跌幅高达20-30%,这个趋势还会持续下去,最少要跌倒今年Q3季度。DRAM内存芯片的跌价让三星、美光、SK Hynix公司的营收及盈利大幅下滑,为此他们今年都会削减投资、减少产能输出。即便如此,厂商阻止内存降价的努力不一定能凑效,因为4月18日SK Hynix斥资86亿美元建造的无锡二厂正式竣工,该工厂的DRAM月产能高达18万片,达产之后将成为全球单体投资规模最大、技术最先进、产能最高的10nm级DRAM晶圆厂,SK Hynix在国内市场的份额将从35%提升到45%。

SK Hynix无锡内存工厂4月投产:产能大增,内存想涨价难了

美光前不久发布的2019财年Q2季度财报显示内存、闪存ASP均价环比跌了20%,导致美光营收大减26%、盈利暴跌50%,为此美光决定削减5%的闪存及内存产能,希望今年底内存价格能够恢复正常。三星也针对Q1季度业绩发布预警,也跟内存降价导致盈利下降有关。对于内存,市场预计直到Q3季度价格都会下滑,主要原因就是供过于求。对内存厂商来说,今年想涨价并不容易,因为SK Hynix在无锡总投资86亿美元的DRAM内存工厂今年4月份就要投产了,此后SK Hynix在无锡的内存产能会提升到每月18万片晶圆,产能大增,市场供过于求的情况只会更严重。

SK Hynix千亿美元投资建存储芯片工厂:保持对中国领先

去年Q4季度开始,连涨了两年多的DRAM内存芯片也开始跌价了,再加上一直在降价的NAND闪存,导致SK Hynix公司2018年Q4季度运营利润环比下跌32%,净利润也环比跌了28%,不过内存及闪存芯片依然是全球半导体芯片市场中产值最大的,韩国厂商占据了全球过半份额,并不会因为降价周期就停止投资。SK Hynix公司未来还会再投资55万亿韩元(约合490亿美元)建造两座存储芯片工厂,加上近年来落成的两座晶圆厂,10年内投资高达1070亿美元,目的是为了保持对中国厂商的领先,不久后中国厂商也会加入到内存及闪存行业的激烈竞争中来。

DDR5内存明年才能上市,SK Hynix已预研DDR6:12Gbps

随着去年Q4季度DRAM芯片价格开始下跌,DDR4内存的价格已经有了松动,很多人还期待着8GB内存降回200多元的价格呢。现在的DDR4内存已经有了继任者——DDR5,标准及芯片生产都完成了,不过尚无平台支持,最快今年底才会有DDR5内存上市,更多地还是2020年上市。DDR5内存的频率能达到6400Mbps,带宽比现有水平翻倍,但SK Hynix日前透露说已经开始预研DDR6内存,频率还会进一步翻倍,预计可达12Gbps,带宽再次翻倍。

内存、闪存价格双双下跌,SK Hynix好日子也终结了

半导体芯片占了韩国出口额的五分之一,是韩国的核心科技之一,这主要是因为三星、SK Hynix两家公司,这两家的DRAM内存份额就占到了全球的70%以上,所以在过去两年的存储芯片涨价中,三星及SK Hynix也是获益最多的,财报不断创造盈利记录。不过2018年Q4季度开始,内存价格也跌了,再加上去年一直在跌价的闪存,存储芯片从牛市转向了熊市,这也拖累了三星、SK Hynix公司的业绩,三星之前预告说盈利要跌38%,SK Hynix公司今天发布了2018年Q4季度财报,由于内存跌价11%、闪存跌价21%,当季运营利润环比下跌32%,净利润也环比跌了28%,不过同比还是增加了6%。

2019年内存还要跌价,三星SK Hynix美光减产阻止价格下跌

2018年Q4季度中,涨了两年多的内存价格终于开始跌了,DRAM合约价相比上个季度减少了10%左右,最近大家可能也看到一些内存产品在杀价了,部分16GB内存甚至能做到500元左右,而2017年底8GB DDR4内存价格一度冲向1000元。2019年由于PC、服务器及智能手机等产品需求疲软,内存价格预计还会继续跌,不过三星、SK Hynix及美光三大厂商并不乐见内存降价,纷纷采取减少产能的方式以期阻止内存价格下跌。

为防中国公司挖人,SK Hynix在工程师退休年龄上拼了

韩国实行60岁退休的制度,根据统计去年韩国人平均退休年龄为61.1岁,不过韩国也是全球人均寿命最高的国家之一,预期寿命达到了82岁。说这个事是因为韩国SK Hynix公司最近改变了一项与退休有关的制度,该公司的工程师可以在达到60岁退休年龄之后继续工作,继续参与研发、制造等工作。虽然SK Hynix不是第一个也不是最后一个取消这种限制的公司,不过韩国媒体立即把这事跟中国公司挖人联系起来,认为SK Hynix此举是为了防止工程师人才流入到中国公司继续发挥余热。

SK Hynix开建第七座芯片工厂:投资15万亿韩元,EUV光刻工艺

随着NAND闪存及DRAM内存不断降价,2019年存储芯片市场将迎来一轮熊市。为了应对降价导致的损失,三星、SK Hynix及美光都计划削减资本支出,不过削减并不意味着他们不再建设芯片工厂了,就在本周三SK Hynix正式开工建设第七座半导体芯片工厂M16,总投资不低于15万亿韩元(约133亿美元),虽然还没确定最终生产DRAM内存还是NAND闪存芯片,但是这座晶圆厂将会用上最先进的EUV光刻工艺。

内存、闪存不断叠加,SK Hynix投1000万美元扩大晶圆代工业务

SK Hynix是仅次于三星的第二大DRAM内存芯片供应商,全球市场份额接近30%,同时还是全球主要的NAND供应商之一,也正因为内存及闪存芯片业务的增长,SK Hynix今年将挤下台积电成为全球第三大半导体公司,仅次于三星及英特尔。不过DRAM内存、NAND闪存芯片在2019年还好继续跌价,太依赖存储芯片的SK Hynix去年也成立了SK Hynix System IC公司,开始进军晶圆代工市场。日前韩国媒体报道称SK Hynix还将增加1000万美元投资,在中国无锡扩大模拟IC芯片业务。

SK Hynix宣布1Ynm 16Gb DDR5内存:5200Mbps,2020年量产

前不久SK Hynix宣布量产了1Ynm工艺的8Gb DDR4内存,频率3200Mbps,此举意味着SK Hynix的1Ynm工艺也开始量产了。日前SK Hynix又宣布了1Ynm工艺的DDR5内存,核心容量16Gb,频率5200Mbps,官方这是首个满足JEDEC标准的DDR5内存,性能比DDR4-3200内存高了60%,不过现在宣布DDR5内存芯片只是技术性的,SK Hynix表示DDR5内存在2020年才会量产。

SK Hynix推1Ynm的8Gb DDR4:生产效率提升20%,功耗降低15%

在全球DRAM内存芯片市场上,SK Hynix目前的市场份额达到了29%,仅次于三星的45%,位列全球第二,领先于美光。在DRAM技术上,今年三星及美光都宣布了新一代1Ynm工艺的DRAM内存芯片,SK Hynix日前也宣布开发出1Ynm工艺的8Gb DDR4内存,频率3200Mbps,同时生产效率提升20%,功耗降低了15%。

SK Hynix量产首个4D NAND闪存:96层堆栈,速度提升30%

随着64层堆栈3D NAND闪存的大规模量产,全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND,几家厂商的技术方案也不太一样,SK Hynix给他们的新闪存起了个4D NAND闪存的名字,在今年的FMS国际闪存会议上正式宣告了业界首个基于CTF技术的4D NAND闪存,日前他们又宣布4D NAND闪存正式量产,目前主要是TLC类型,96层堆栈,512Gb核心容量,使用该技术可以减少30%的核心面积,读取、写入速度分别提升30%、25%。

三星、SK Hynix研发EUV工艺的DRAM芯片,内存成本更低

与台积电在7nm节点抢先完成布局不同,三星在7nm节点要慢了一些,上周才宣布了7nm EUV工艺正式量产,很大一个原因就是三星在7nm节点上直接上了EUV光刻工艺,没有使用过渡工艺,这要比英特尔、台积电都激进得多。除了逻辑工艺升级到EUV工艺,三星在未来的1Ynm工艺的DRAM内存芯片生产上也在研究EUV工艺,而他们也不是唯一的一家,SK Hynix也被曝研发EUV工艺的DRAM芯片,只有美光在这方面比较保守。

SK Hynix M15工厂即将落成:15万亿韩元投资,主产96层3D闪存

前不久东芝/西数、英特尔都宣布了新一代NAND工厂建成,主要生产96层3D NAND闪存,现在SK Hynix的新闪存工厂M15也来了,明天也就是10月4日就会举行竣工典礼,初期生产72层堆栈的3D NAND闪存,但是明年初就会转向96层堆栈3D NAND闪存。M15是SK Hynix前几年宣布的“十年46万亿投资”计划中的一部分,M15工厂主要生产3D NAND闪存,2020年还会有M16工厂建成,主要生产DRAM内存。

内存要降价,SK Hynix投资3亿美元在中国无锡建综合性医院

持续涨价两近三年的内存市场将在Q3、Q4季度迎来新变数,由于市场需求旺季不旺,Q3季度的内存价格预计会持平,Q4季度则会降价,这也导致市场看衰内存领域的厂商,投资大鳄索罗斯已经清空了美光的股票。在存储芯片上,三星及SK Hynix两家公司占据了全球大多数份额,内存芯片市场份额高达75%,中国进口的半数存储芯片都来自这两家韩国公司。现在内存价格即将由涨转跌的情况下,韩国公司也在加大别的领域投资,分散内存市场的风险,SK Hynix宣布在中国无锡投资3亿美元建设一家综合性医院。

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