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    近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM产品的需求也在迅速增长,三星、SK海力士和美光三家主要存储器制造商都加大了投入。SK海力士作为目前HBM领域的领导者,首次现身COMPUTEX 2024,展示了最新的HBM3E和MR-RUF技术,表示混合键合将在芯片堆叠中发挥至关重要的作用。

    据Trendforce报道,SK海力士的MR-RUF技术是将半导体芯片附着在电路上,使用EMC(液态环氧树脂模塑料)填充芯片之间或芯片与凸块之间的间隙。现阶段MR-RUF技术可实现更紧密的芯片堆叠,散热性能提高10%,能效提高10%,最多可实现12层垂直堆叠,提供36GB容量的产品。

    相比之下,三星和美光使用的是TC NCF技术,需要高温高压将材料固化再熔化,然后进行清洗。这个过程涉及2-3个步骤,而MR-RUF技术可以在不需要清洗的情况下一步完成整个过程。根据SK海力士的说法,MR-RUF的导热系数大约是TC NCF的两倍,显著影响了生产速度和产量。从目前的市场占有率来看,SK海力士的说法似乎非常有说服力。

    传闻JEDEC固态存储协会可能会放宽HBM4在高度方面的要求,也就是最高的720微米的限制,将12层及16层垂直堆叠的HBM4高度放宽至775微米,这意味着存储器制造商可以在现有的键合技术中实现16层堆叠,无需转向新的混合键合技术。

    SK海力士透露,在未来的芯片堆叠中,将消除凸块,并使用特殊材料填充和连接芯片。这种材料类似于液体或胶水,将提供散热和芯片保护,从而实现更薄的整体芯片堆栈。SK海力士非常地乐观,认为混合键合技术有可能在不超过775微米的情况下实现20层以上的堆叠,不需要转向新的工艺。

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    已有 2 条评论,共 16 人参与。
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    • 我匿名了  06-09 18:25

      能让你看到的,都是已经落后的技术

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      2#

    • 我匿名了  06-08 18:04

      hbm基本成nv独家使用了

      支持(0)  |   反对(6)  |   举报  |   回复

      1#

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