E X P
  • 编辑
  • 评论
  • 标题
  • 链接
  • 查错
  • 图文
  • 拼 命 加 载 中 ...

    近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长。从去年下半年起,就不断传出有关下一代HBM4的消息,三星、SK海力士和美光三家主要存储器制造商都加大了这方面的投入,以加快研发的进度。

    据ZDNet报道,JEDEC固态存储协会可能会放宽HBM4在高度方面的要求,也就是最高的720微米的限制。为了降低三星、SK海力士和美光的制造难度,传闻JEDEC可能将12层及16层堆叠的HBM4高度放宽至775微米,这意味着存储器制造商可以在现有的键合技术中实现16层堆叠,无需转向新的混合键合技术。

    目前无论是三星的TC NCF技术还是SK海力士的MR-RUF技术,都是使用凸块实现层与层之间的连接。上个月三星宣布,已开发出业界首款HBM3E 12H DRAM,从过去的8层堆叠提高至12层堆叠,而且通过对TC NCF材料的优化,已经将间隙减低至7微米。不过要实现16层堆叠,厚度必然会继续增加,现有的技术在原限定高度下很难实现这样的操作。

    混合键合技术不需要凸块,通过板载芯片和晶圆直接键合,让层与层之间更加紧密,以减少封装厚度。不过混合键合技术尚未成熟,而且相比现有的键合技术过于昂贵,因此现阶段存储器制造商还不太愿意采用。

    随着JEDEC同意放宽HBM4的高度限制要求,一方面为混合键合技术争取到了更多的开发时间,另一方面也加快了HBM4的商业化进程。

    ×
    热门文章
    1九州风神FT12/FT14散热风扇评测:“方舟反应炉”设计独特,性能均衡
    2RDNA 4架构GPU逐渐逼近:AMD已在Linux提交最后一批支持补丁
    3Radeon 880M性能较上代提升15%:RDNA 3.5新架构效率提升明显
    4华硕推出多款AI PC轻薄本新品,包括灵耀超轻薄本和ProArt专业创作本
    5夏普堺市LCD工厂提前停产:从9月底改至8月下旬
    6分形工艺发布North Pi:用于树莓派的机箱3D打印文件
    7ASML公布2024Q2财报:EUV系统带动销售,毛利率高于预期
    8微星将为旗下AM5主板BIOS增加新的超频功能:助力锐龙9000系处理器
    9Epic Games发布《堡垒之夜》频繁崩溃问题指南,针对13/14代酷睿CPU
    欢迎参与评论,每一条合规评论都是对我们的褒奖。
    登录快速注册 后发表评论
    登录 后发表评论,若无帐号可 快速注册 ,请留意 评论奖罚说明