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    去年10月,三星举办了“Samsung Memory Tech Day 2023”活动,展示了一系列引领超大规模人工智能(AI)时代的创新技术和产品,并宣布推出名为“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM,面向下一代人工智能应用,提高总拥有成本(TCO),并加快数据中心的人工智能模型训练和推理速度。

    今天三星宣布已开发出业界首款HBM3E 12H DRAM,拥有12层堆叠。其提供了高达1280GB/s的带宽,加上36GB容量,均比起之前的8层堆栈产品提高了50%,是迄今为止带宽和容量最高的HBM产品。

    HBM3E 12H DRAM采用了先进的热压非导电薄膜(TC NCF)技术,使得12层产品与8层产品有着相同的高度规格,满足了当前HBM封装的要求。这项技术预计会带来更多优势,特别是在更高的堆叠上,业界正在努力减轻芯片裸片变薄带来的裸片翘曲。三星不断降低其NCF材料的厚度,并实现了业界最小的芯片间隙(7µm),同时还消除了层间空隙。这些努力使其与HBM3 8H DRAM相比,垂直密度提高了20%以上。

    三星的热压非导电薄膜技术还通过芯片间使用不同尺寸的凸块改善HBM的热性能,在芯片键合过程中,较小凸块用于信号传输区域,而较大凸块则放置在需要散热的区域,这种方法有助于提高产品的良品率。

    三星表示,在人工智能应用中,采用HBM3E 12H DRAM预计比HBM3E 8H DRAM的训练平均速度提高34%,同时推理服务用户数量也将增加超过11.5倍。据了解,三星已经开始向客户提供HBM3E 12H DRAM的样品,预计今年下半年开始大规模量产。

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    • DIY无限发烧教授 02-28 15:45    |  加入黑名单

      显存芯片吗

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