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    近日,三星举办了“Samsung Memory Tech Day 2023”活动,展示了一系列引领超大规模人工智能(AI)时代的创新技术和产品,包括HBM3E“Shinebolt”、LPDDR5X CAMM2和可拆卸的AutoSSD,以加速包括云端、边缘设备和汽车未来应用的技术进步。

    三星宣布,推出名为“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM,面向下一代人工智能应用,提高总拥有成本(TCO),并加快数据中心的人工智能模型训练和推理速度。

    HBM3E每引脚速度为9.8GB/s,意味着总带宽超过了1.2TB/s。为了实现更高堆叠层数和改善热特性,三星优化了非导电膜(NCF)技术,以消除芯片层之间的间隙,最大限度地提高导热性。目前采用8层和12层堆叠方案的HBM3已经开始批量生产,HBM3E的样品也正在向客户发货。三星还打算利用其整体半导体解决方案提供商的优势,提供结合下一代HBM、先进封装技术和代工产品的定制服务。

    除了HBM3E外,本次发布会的其他重点产品还包括了业界最高容量的32Gb DDR5 DRAM、业界首款32Gbps GDDR7、以及能显著提升服务器应用存储能力的PB级别PBSSD。另外还展示了7.5Gbps的LPDDR5X CAMM21、9.6Gbps的LPDDR5X DRAM、专门用于设备上人工智能的LLW2 DRAM、下一代UFS、以及用于个人电脑的QLC SSD BM9C1。

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