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关于 HBM 的消息

传三星HBM3E芯片存在运行过热问题,导致无法通过英伟达的验证

美光、SK海力士和三星先后在去年7月底、8月中旬、以及10月初向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E(24GB)样品。其中美光和SK海力士的HBM3E在今年初已通过英伟达的验证,并获得了订单。不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试,仍需要进一步验证,传闻主要卡在台积电(TSMC)的审批环节。

AMD宣布Alveo V80计算加速卡量产:配32GB HBM2E,针对内存密集型工作负载

AMD宣布,Alveo V80计算加速卡已进入量产阶段,这是针对内存密集型工作负载的最新高性能计算(HPC)产品。作为基于FPGA的加速器,Alveo V80有望通过极具竞争力的性能和定价来争夺严重依赖内存利用率的中端工作负载市场,被HPC、数据分析、金融、网络安全和存储应用领域大规模采用。

台积电准备HBM4基础裸片:将采用N5和N12FFC+工艺制造

上个月,SK海力士宣布与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品,也就是HBM4。据了解,台积电将生产用于HBM4的基础裸片(Base Die),这是双方针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片优化工作的一部分。

国内HBM开发取得进展:两家存储器制造商跟进,目标2026年生产HBM2

近年来高带宽内存的需求急剧上升,随着人工智能(AI)热潮的到来,让这一趋势愈加明显。三星、SK海力士和美光是HBM市场的三大巨头,目前都在加速开发新产品,并积极地扩张产能。

三星HBM3E尚未通过英伟达验证,卡在台积电审批环节

此前有报道称,美光、SK海力士和三星先后在去年7月底、8月中旬、以及10月初向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E(24GB)样品。其中美光和SK海力士的HBM3E在今年初已通过英伟达的验证,并获得了订单。

SK海力士加速推进HBM4E:最早或2026年完成开发

为应对用于人工智能(AI)的半导体需求的大幅度增长,此前SK海力士已决定扩充人工智能基础设施的核心产品,即HBM3E等新一代DRAM的生产能力。与此同时,SK海力士还与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作,开发第六代HBM产品,也就是HBM4。

传三星HBM开发采用“双规制”,另建团队专门负责HBM4项目

近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长,各大厂商也加大了这方面的投入。虽然三星是全球最大的存储器制造商,但在HBM产品的开发和销售上却落后于SK海力士,最近正加大投入,以追赶竞争对手。

明年HBM产品或涨价5~10%,占DRAM总产值超过30%

近年来高带宽内存(HBM)的需求急剧上升,尤其是人工智能(AI)热潮的到来,让这一趋势愈加明显,HBM产品的销量节节攀升,价格也是水涨船高。即便各个存储器供应商不断提升HBM的产能,仍然难以满足市场的需求,传闻SK海力士和美光至2025年底之前的HBM产能已经售罄。

三星计划2024Q2开始量产HBM3E 12H DRAM,以及1βnm 32Gb DDR5产品

近日,三星公布了截至2024年3月31日的第一季度财报。显示其存储器业务通过满足高附加值产品的市场需求终于实现了盈利,带动了整个DS部门的营收和利润增长,让半导体业务自2022年以来的首次恢复盈利。

SK海力士将清州M15X定为DRAM生产基地,以应对HBM需求的大幅增长

今天SK海力士宣布,为应对用于人工智能(AI)的半导体需求的大幅度增长,决定扩充人工智能基础设施的核心产品,即HBM等新一代DRAM的生产能力。在SK海力士看来,提高以HBM为主的DRAM产能是其面临的首要问题。

传三星与AMD签订价值30亿美元的新协议:将供应12层堆叠的HBM3E

去年10月,三星举办了“Samsung Memory Tech Day 2023”活动,宣布推出代号为“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM。到了今年2月,三星宣布已开发出业界首款HBM3E 12H DRAM,拥有12层堆叠,容量为36GB,是迄今为止带宽和容量最高的HBM产品。随后三星开始向客户提供了样品,计划下半年开始大规模量产。

SK海力士将选择台积电7nm工艺,用于生产HBM4的基础裸片

近日,SK海力士宣布与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品,也就是HBM4,预计在2026年投产。

SK海力士和台积电签署谅解备忘录,在HBM4研发和下一代封装技术上展开合作

SK海力士宣布,已经与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品,也就是HBM4,预计在2026年投产。

三星HBM4计划2025年首次亮相:将有16层堆叠,改用3D封装

近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长,各大厂商也加大了这方面的投入。目前HBM市场主要由三星、SK海力士和美光三家存储器制造商占有,根据统计机构的数据,SK海力士占据了50%的市场份额,三星以40%紧随其后,剩下的10%属于美光。

AMD和英伟达AI芯片发展迅猛,加速HBM3E今年下半年将成主流

在人工智能(AI)和高性能计算(HPC)的影响下,近两年HBM产品发展逐渐加速,也推动着存储器厂商的收入增长,而新一代HBM3E也逐渐成为了各种新款芯片的搭配首选。今年英伟达带来了基于Blackwell架构的新产品,首发的B200和GB200都选用了HBM3E。有消息称,AMD今年将推出改用4nm工艺制造的Instinct MI350系列,搭配的显存也将换成HBM3E。

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