关于 HBM 的消息

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三星HBM3获得英伟达有限使用许可，暂时仅用于国内特供的H20

三星在去年中，就开始向英伟达提供了HBM3样品，用于H100等多款计算卡进行验证，试图打进英伟达的计算卡供应链，预计2024年最多可以拿到英伟达30%的HBM3订单。不过由于长时间不能通过英伟达的验证，导致计划受阻，时间表一拖再拖，传闻三星的HBM3在发热和功耗方面存在一些问题。

吕嘉俭 | 发布于1天之前

2025年存储器产业营收预计将创新高：HBM和QLC技术崛起和价格上涨推动

TrendForce发布了新的调查报告，显示受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格，加上高带宽内存（HBM）等高附加价值产品的崛起，预计DRAM及NAND闪存产业2024年的营收按年增长幅度分别为75%和77%。同时2025年将延续增长势头，预计DRAM及NAND闪存产业的营收按年增长幅度分别为51%和29%，将创下历史新高。

吕嘉俭 | 发布于3天之前

三星推进HBM4开发工作：计划采用4nm工艺量产基础裸片

此前有报道称，三星已经成立了新的“HBM开发团队”，将专注于HBM3、HBM3E和下一代HBM4技术的相关开发工作，以提高三星在HBM市场的竞争力。三星早在2015年就在DRAM部门里组建了专门负责HBM产品开发的团队，而这次组织架构的改组进一步做了加强。

吕嘉俭 | 发布于9天之前

传三星HBM3E通过英伟达认证，或推动DDR5内存2024Q3价格上涨

此前有报道称，美光、SK海力士和三星先后在去年7月底、8月中旬、以及10月初向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E（24GB）样品。其中美光和SK海力士的HBM3E在今年初已通过英伟达的验证，并获得了订单。不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试，仍需要进一步验证，主要卡在台积电（TSMC）的审批环节。

吕嘉俭 | 发布于2024-07-16 11:57

JEDEC即将完成HBM4标准制定：每堆栈通道数翻倍，或6.4Gbps速率起步

近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长。三星、SK海力士和美光三家主要存储器制造商都加大了这方面的投入，以加快研发的进度。从去年下半年起，就不断传出有关下一代HBM4的消息。

吕嘉俭 | 发布于2024-07-11 11:47

明年HBM产量或实现翻倍：三星、SK海力士和美光都在努力提升产能

随着人工智能（AI）技术的快速发展，高带宽存储器（HBM）产品的销量也在节节攀升。由于HBM产品具备较高的附加值，使得三星、SK海力士和美光三大存储器制造商之间的竞争变得愈加激烈。虽然各个存储器供应商不断提升HBM的产能，但是仍然难以满足市场的需求，价格也是水涨船高。

吕嘉俭 | 发布于2024-07-10 16:28

三星成立新的HBM团队：加速推进HBM3E和HBM4开发工作

近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长。虽然三星是全球最大的存储器制造商，但在HBM产品的开发和销售上却落后于SK海力士。此前有报道称，为了追赶竞争对手，三星另外组建了团队专门负责HBM4项目，与此同时HBM3E的开发和量产工作则由原来的DRAM设计团队负责。

吕嘉俭 | 发布于2024-07-05 17:41

HBM和先进封装增加晶圆消耗，预计硅片行业受益

随着人工智能（AI）技术的快速发展，对芯片的需求急剧增加，推动了先进封装和高带宽存储器（HBM）技术的不断改进，从而进一步增加了晶圆的消耗量，预计将使硅片行业受益。

吕嘉俭 | 发布于2024-07-03 09:23

显存已成为继HBM之后的新战场：三大存储器制造商争夺英伟达订单

今年3月，JEDEC发布了JES239 Graphics Double Data Rate 7，即GDDR7标准，可提供两倍于GDDR6的带宽，以满足未来图形、游戏、计算、网络和人工智能应用对高内存带宽不断增长的需求。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-24 12:06

美光在全球范围内加大HBM3E生产，或选择马来西亚建造新工厂

此前美光曾表示，希望到2025年，能占据20%至25%的HBM市场份额，力争提高到与传统DRAM相当的水平。对于具体如何去实现，美光并没有详细的说明，不过进一步扩大产能是必然的。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-20 11:42

三星将带来3D HBM封装服务，计划2024年内推出

去年有报道称，三星正在准备自己的3D芯片封装技术，能够以更小的尺寸集成高性能芯片所需要的逻辑芯片和存储芯片。目前HBM产品主要采用2.5D封装技术，不过三星打算在2025年亮相的HBM4上引入3D封装技术。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-17 15:06

HBM供应短缺促使美光扩张产能，希望进一步提升市场占有率

此前有报道称，美光将在日本广岛县建造一座新的DRAM工厂，投资金额在6000亿至8000亿日元之间，计划2026年初开工建设，目标2027年末完成工厂主体建筑建设和第一批工具的安装。其中将安装极紫外（EUV）光刻设备，以1-gamma（1γ）工艺生产DRAM芯片。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-14 11:04

三星认为混合键合技术至关重要，是生产16层堆叠HBM产品的必备条件

三星直到12层垂直堆叠HBM产品，一直都在使用热压缩（TC）键合技术。不过随着HBM堆叠层数的增加，三星可能会选择改进工艺技术，以适应新一代HBM产品的生产需要。三星在之前的一篇采访文章中，再次重申了HBM4正在开发当中，将于2025年首次亮相。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-12 16:47

HBM4竞争已经开启：堆叠挑战依然存在，混合键合技术是关键

近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM产品的需求也在迅速增长，三星、SK海力士和美光三家主要存储器制造商都加大了投入。SK海力士作为目前HBM领域的领导者，首次现身COMPUTEX 2024，展示了最新的HBM3E和MR-RUF技术，表示混合键合将在芯片堆叠中发挥至关重要的作用。