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关于 HBM 的消息

SK海力士宣布量产HBM3,首批供应英伟达H100使用

SK海力士宣布,开始量产HBM3,这是目前世界上性能最好的DRAM,将巩固其在高端DRAM市场的领导地位。HBM与传统DRAM相比,在数据处理速度和性能方面有着更强的竞争力,预计会被更多的产品所采用。

NVIDIA H100 SXM实物曝光:核心面积814mm²,80GB HBM3显存

在GTC 2022上,英伟达发布了新一代基于Hopper架构的H100,用于下一代加速计算平台。其拥有800亿个晶体管,为CoWoS 2.5D晶圆级封装,单芯片设计,采用了台积电(TSMC)为英伟达量身定制的4nm工艺制造。

AMD Instinct MI300或采用3D芯片堆叠:8个计算模块,支持PCIe 5.0和HBM3

AMD去年推出了基于CDNA 2架构的Instinct MI200系列计算卡,这是第一款采用MCM多芯片封装的GPU,是首款百亿亿级的GPU加速器。事实上,在Instinct MI200系列还没有发布之前,就已经传出了Instinct MI300系列的消息了,近期还出现在了Linux补丁里。

英伟达发布Hopper架构H100:800亿个晶体管、80GB的HBM3、TDP为700W

在GTC 2022上,英伟达发布了新一代基于Hopper架构的H100,用于下一代加速计算平台。正如英伟达所言,这是专门为超级计算机设计的GPU,专注于AI性能,通过架构更新和工艺提升,使其性能和效率提高到新的水平。

英特尔Gaudi 2 HL 2080 AI芯片泄露:OCP-OAM外形、12+12相供电、6颗HBM

英特尔除了大家最为熟悉的CPU,其实还有很多针对不同应用的专用处理芯片。近期一批泄露文件证实了,英特尔将在今年推出具有强大功能的新一代AI处理器,称为Habana Gaudi 2平台,竞争对手是英伟达用于深度学习的数据中心产品。

JEDEC发布HBM3内存标准:带宽819GB/s、每个堆栈最高64GB容量

今天JEDEC发布了HBM3高带宽内存标准,相比现有的HBM2和HBM2e标准有大幅的提升。这个新的HBM内存标准版本为JESD238 HBM3,目前相关技术文档已经可以从JEDEC下载

ISSCC 2022预告:SK海力士展示896GB/s的HBM3,三星介绍27Gbps的GDDR6

ISSCC 2022(IEEE 国际固态电路会议)将于2月24日举行,不少厂商会选择在这次大会上展示最新的半导体制造技术。其中SK海力士将介绍其最新的HBM3内存技术,带宽达到了896 GB/s,三星则会展示速率为27 Gbps的GDDR6。

英特尔表示Sapphire Rapids将有64GB HBM2e,并确认Ponte Vecchio缓存容量

在近日举行的Supercomputing 2021上,英特尔进一步披露了称为Sapphire Rapids的新一代至强(Xeon)可扩展处理器的信息。

SK海力士在OCP峰会上展示HBM3,单颗24GB,频率提升至6400Mbps

在上个月底SK海力士宣布他们已经成功开发出HBM3 DRAM内存,而且他们把成品带到了OCP峰会上展示,这HBM3的样品被ServeTheHome拍下来了。

SK海力士推出全球首款HBM3内存,单颗容量24GB,带宽达到819GB/s

SK海力士今天宣布,他们已经成功开发出HBM3 DRAM内存,是全球首家开发出新一代HBM内存的公司,这是HBM系列内存的第四代产品(HBM2E也算一代),新的HBM3不仅提供了更高的带宽,还堆叠了更多层数的DRAM来增加容量。

英特尔展示采用HBM的Sapphire Rapids处理器,采用BGA封装

在去年年末的一份文件里,英特尔确认第四代Xeon可扩展处理器,也就是Sapphire Rapids将支持HBM内存,不过英特尔并没有透露具体的配置。据TomsHardware报道,在近期IMAPS主办的的国际微电子研讨会上,英特尔首次展示了采用HBM的Sapphire Rapids处理器,并确认将采用多芯片设计。

Synopsys推出业界首个完整HBM3 IP和验证解决方案,加速多芯片设计

Synopsys推出业界首个完整HBM3 IP和验证解决方案,包括用于2.5D多芯片封装系统的控制器、物理接口(PHY)和验证IP,以满足设计人员利用HBM3针对高性能计算、人工智能和图形应用的片上系统(SoC)设计高带宽和低功耗存储器的要求。

三星下一代DDR5和HBM3内存会集成AI引擎,PIM技术将进一步扩展

在今年二月初,我们报道了三星新的HBM2内存将集成AI引擎,HBM-PIM(Aquabolt-XL)芯片最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式计算能力,使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。近日,三星在Hot Chips 33上介绍了未来更为庞大的开发计划,会将PIM (processing-in-memory) 技术扩展到DDR4、DDR5、LPDDR5X、GDDR6和HBM3内存上。

台积电展示CoWoS封装技术路线图,为下一代小芯片架构和HBM3做准备

台积电(TSMC)的CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)是一项2.5D封装技术,可以将多个小芯片封装到一个基板上,最早发布于2012年。这项技术有许多优点,但主要优势是节约空间、增强芯片之间的互联性和降低功耗。AMD曾在Fury和Vega系列显卡上,就是通过CoWoS封装将GPU和HBM显存封装在一起,后来英伟达在GP100和GV100这样的计算卡上,也开始使用了这项技术。

Rambus推出HBM3内存子系统,速率高达8.4Gbps

早期的DIY玩家应该都会知道Rambus这间公司,在世纪之交的时候,如日中天的英特尔非常自信地认定Rambus主导研发的RDRAM(Rambus DynamicRandom Access Memory)在技术上遥遥领先,钦定RDRAM成为SDRAM之后的下一代内存标准。

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