关于 HBM3E 的消息

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传三星HBM3E通过英伟达认证，或推动DDR5内存2024Q3价格上涨

此前有报道称，美光、SK海力士和三星先后在去年7月底、8月中旬、以及10月初向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E（24GB）样品。其中美光和SK海力士的HBM3E在今年初已通过英伟达的验证，并获得了订单。不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试，仍需要进一步验证，主要卡在台积电（TSMC）的审批环节。

吕嘉俭 | 发布于2024-07-16 11:57

三星成立新的HBM团队：加速推进HBM3E和HBM4开发工作

近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长。虽然三星是全球最大的存储器制造商，但在HBM产品的开发和销售上却落后于SK海力士。此前有报道称，为了追赶竞争对手，三星另外组建了团队专门负责HBM4项目，与此同时HBM3E的开发和量产工作则由原来的DRAM设计团队负责。

吕嘉俭 | 发布于2024-07-05 17:41

美光在全球范围内加大HBM3E生产，或选择马来西亚建造新工厂

此前美光曾表示，希望到2025年，能占据20%至25%的HBM市场份额，力争提高到与传统DRAM相当的水平。对于具体如何去实现，美光并没有详细的说明，不过进一步扩大产能是必然的。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-20 11:42

美光介绍新款HBM3E产品：1β工艺制造，8/12层堆叠，24/36GB容量

近期美光发布了一系列内存和存储产品组合，以加速人工智能（AI）的发展。其中新款的HBM3E产品备受外界关注，美光早些时候已经宣布开始批量生产HBM3E，将用于英伟达H200，计划在2024年第二季度开始发货。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-30 15:07

三星否认HBM3E芯片存在问题，称与合作伙伴顺利进行HBM供应测试

此前有报道称，三星的HBM3E芯片在英伟达的验证测试过程中似乎遇到一些重大问题，包括芯片运行过热和功耗过高等。三星从去年开始，就先后提供了HBM3和HBM3E给英伟达进行验证，但是一直没有通过。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-27 12:25

传三星HBM3E芯片存在运行过热问题，导致无法通过英伟达的验证

美光、SK海力士和三星先后在去年7月底、8月中旬、以及10月初向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E（24GB）样品。其中美光和SK海力士的HBM3E在今年初已通过英伟达的验证，并获得了订单。不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试，仍需要进一步验证，传闻主要卡在台积电（TSMC）的审批环节。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-25 09:48

三星HBM3E尚未通过英伟达验证，卡在台积电审批环节

此前有报道称，美光、SK海力士和三星先后在去年7月底、8月中旬、以及10月初向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E（24GB）样品。其中美光和SK海力士的HBM3E在今年初已通过英伟达的验证，并获得了订单。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-14 14:04

三星计划2024Q2开始量产HBM3E 12H DRAM，以及1βnm 32Gb DDR5产品

近日，三星公布了截至2024年3月31日的第一季度财报。显示其存储器业务通过满足高附加值产品的市场需求终于实现了盈利，带动了整个DS部门的营收和利润增长，让半导体业务自2022年以来的首次恢复盈利。

吕嘉俭 | 发布于2024-04-30 15:22

传三星与AMD签订价值30亿美元的新协议：将供应12层堆叠的HBM3E

去年10月，三星举办了“Samsung Memory Tech Day 2023”活动，宣布推出代号为“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM。到了今年2月，三星宣布已开发出业界首款HBM3E 12H DRAM，拥有12层堆叠，容量为36GB，是迄今为止带宽和容量最高的HBM产品。随后三星开始向客户提供了样品，计划下半年开始大规模量产。

吕嘉俭 | 发布于2024-04-24 11:13

AMD和英伟达AI芯片发展迅猛，加速HBM3E今年下半年将成主流

在人工智能（AI）和高性能计算（HPC）的影响下，近两年HBM产品发展逐渐加速，也推动着存储器厂商的收入增长，而新一代HBM3E也逐渐成为了各种新款芯片的搭配首选。今年英伟达带来了基于Blackwell架构的新产品，首发的B200和GB200都选用了HBM3E。有消息称，AMD今年将推出改用4nm工艺制造的Instinct MI350系列，搭配的显存也将换成HBM3E。