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    在人工智能(AI)和高性能计算(HPC)的影响下,近两年HBM产品发展逐渐加速,也推动着存储器厂商的收入增长,而新一代HBM3E也逐渐成为了各种新款芯片的搭配首选。今年英伟达带来了基于Blackwell架构的新产品,首发的B200和GB200都选用了HBM3E。有消息称,AMD今年将推出改用4nm工艺制造的Instinct MI350系列,搭配的显存也将换成HBM3E。

    据TrendForce报道,AMD和英伟达都加快了主力人工智能(AI)应用芯片的开发步伐,而且都在规划采用更高规格的HBM产品,以进一步提升性能。从目前情况来看,2024年将会有三大趋势:

    • HBM3将进阶到HBM3E - 预计英伟达下半年开始扩大搭载HBM3E的H200出货,取代H100成为主流,B200和GB200也会采用HBM3E。AMD年底前会带来Instinct MI350系列,在此之前还会有Instinct MI32x系列,均选定了HBM3E。

    • HBM容量持续增大 - 目前市场主流的H100搭载的是80GB的HBM3,至2024年底改用HBM3E的新品,容量将提升至192GB到288GB。

    • HBM3E将从8层往12层堆叠发展 - 英伟达首批Blackwell架构产品都采用了8层堆叠的HBM3E,到了明年将引入12层堆叠的HBM3E。AMD今年的Instinct MI350系列,以及明年的Instinct MI375系列,都将采用12层堆叠的HBM3E,将容量提升至288GB。

    此前三星已官宣了业界首款拥有12层堆叠的HBM3E,传闻SK海力士在今年2月已经向英伟达发送了新款12层堆叠HBM3E样品,以进行产品验证测试。另外有趣的是,报道中还提及了之前没有出现的AMD Instinct MI375系列。

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