AMD和英伟达AI芯片发展迅猛，加速HBM3E今年下半年将成主流

在人工智能（AI）和高性能计算（HPC）的影响下，近两年HBM产品发展逐渐加速，也推动着存储器厂商的收入增长，而新一代HBM3E也逐渐成为了各种新款芯片的搭配首选。今年英伟达带来了基于Blackwell架构的新产品，首发的B200和GB200都选用了HBM3E。有消息称，AMD今年将推出改用4nm工艺制造的Instinct MI350系列，搭配的显存也将换成HBM3E。

据TrendForce报道，AMD和英伟达都加快了主力人工智能（AI）应用芯片的开发步伐，而且都在规划采用更高规格的HBM产品，以进一步提升性能。从目前情况来看，2024年将会有三大趋势：

• HBM3将进阶到HBM3E - 预计英伟达下半年开始扩大搭载HBM3E的H200出货，取代H100成为主流，B200和GB200也会采用HBM3E。AMD年底前会带来Instinct MI350系列，在此之前还会有Instinct MI32x系列，均选定了HBM3E。

• HBM容量持续增大 - 目前市场主流的H100搭载的是80GB的HBM3，至2024年底改用HBM3E的新品，容量将提升至192GB到288GB。

• HBM3E将从8层往12层堆叠发展 - 英伟达首批Blackwell架构产品都采用了8层堆叠的HBM3E，到了明年将引入12层堆叠的HBM3E。AMD今年的Instinct MI350系列，以及明年的Instinct MI375系列，都将采用12层堆叠的HBM3E，将容量提升至288GB。

此前三星已官宣了业界首款拥有12层堆叠的HBM3E，传闻SK海力士在今年2月已经向英伟达发送了新款12层堆叠HBM3E样品，以进行产品验证测试。另外有趣的是，报道中还提及了之前没有出现的AMD Instinct MI375系列。