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    此前有报道称,三星的HBM3E芯片在英伟达的验证测试过程中似乎遇到一些重大问题,包括芯片运行过热和功耗过高等。三星从去年开始,就先后提供了HBM3和HBM3E给英伟达进行验证,但是一直没有通过。

    据Business Korea报道,三星向媒体发布了一份声明,否定了原有报道中的说法,表示“正在与各个全球合作伙伴顺利进行HBM供应测试”,并强调通过持续的合作来确保产品的质量和可靠性,以便向客户提供最佳解决方案。

    随着人工智能(AI)市场的快速增长,HBM技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片来显著提高数据处理速度,已经变得越来越重要。由于市场对HBM产品的需求激增,使得三星、SK海力士和美光开始陷入激烈的市场争夺战中。尽管三星在DRAM方面一直领导市场,但是HBM产品上长期被SK海力士压制,加上近期美光也有赶超的态势,促使三星内部发生重大战略转变,包括更换部门负责人、加速项目开发进度、以及扩充产能,以更好地应对竞争压力。

    三星在上个月发布的2024年第一季度财报中表示,8层垂直堆叠的HBM3E已经在4月量产,并计划在第二季度内量产12层垂直堆叠的HBM3E,比原计划里的下半年提前了。尽管三星作出了各种努力,但是一些市场分析师仍然对三星是否能在短期内缩小与SK海力士之间的差距表示怀疑。

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