三星否认HBM3E芯片存在问题，称与合作伙伴顺利进行HBM供应测试

此前有报道称，三星的HBM3E芯片在英伟达的验证测试过程中似乎遇到一些重大问题，包括芯片运行过热和功耗过高等。三星从去年开始，就先后提供了HBM3和HBM3E给英伟达进行验证，但是一直没有通过。

据Business Korea报道，三星向媒体发布了一份声明，否定了原有报道中的说法，表示“正在与各个全球合作伙伴顺利进行HBM供应测试”，并强调通过持续的合作来确保产品的质量和可靠性，以便向客户提供最佳解决方案。

随着人工智能（AI）市场的快速增长，HBM技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片来显著提高数据处理速度，已经变得越来越重要。由于市场对HBM产品的需求激增，使得三星、SK海力士和美光开始陷入激烈的市场争夺战中。尽管三星在DRAM方面一直领导市场，但是HBM产品上长期被SK海力士压制，加上近期美光也有赶超的态势，促使三星内部发生重大战略转变，包括更换部门负责人、加速项目开发进度、以及扩充产能，以更好地应对竞争压力。

三星在上个月发布的2024年第一季度财报中表示，8层垂直堆叠的HBM3E已经在4月量产，并计划在第二季度内量产12层垂直堆叠的HBM3E，比原计划里的下半年提前了。尽管三星作出了各种努力，但是一些市场分析师仍然对三星是否能在短期内缩小与SK海力士之间的差距表示怀疑。