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关于 HBM4 的消息

台积电准备HBM4基础裸片:将采用N5和N12FFC+工艺制造

上个月,SK海力士宣布与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品,也就是HBM4。据了解,台积电将生产用于HBM4的基础裸片(Base Die),这是双方针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片优化工作的一部分。

SK海力士加速推进HBM4E:最早或2026年完成开发

为应对用于人工智能(AI)的半导体需求的大幅度增长,此前SK海力士已决定扩充人工智能基础设施的核心产品,即HBM3E等新一代DRAM的生产能力。与此同时,SK海力士还与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作,开发第六代HBM产品,也就是HBM4。

传三星HBM开发采用“双规制”,另建团队专门负责HBM4项目

近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长,各大厂商也加大了这方面的投入。虽然三星是全球最大的存储器制造商,但在HBM产品的开发和销售上却落后于SK海力士,最近正加大投入,以追赶竞争对手。

SK海力士将选择台积电7nm工艺,用于生产HBM4的基础裸片

近日,SK海力士宣布与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品,也就是HBM4,预计在2026年投产。

SK海力士和台积电签署谅解备忘录,在HBM4研发和下一代封装技术上展开合作

SK海力士宣布,已经与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品,也就是HBM4,预计在2026年投产。

三星HBM4计划2025年首次亮相:将有16层堆叠,改用3D封装

近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长,各大厂商也加大了这方面的投入。目前HBM市场主要由三星、SK海力士和美光三家存储器制造商占有,根据统计机构的数据,SK海力士占据了50%的市场份额,三星以40%紧随其后,剩下的10%属于美光。

JEDEC或放宽HBM4高度限制,在现有的键合技术中实现16层堆叠

近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长。从去年下半年起,就不断传出有关下一代HBM4的消息,三星、SK海力士和美光三家主要存储器制造商都加大了这方面的投入,以加快研发的进度。

传SK海力士与台积电组成AI芯片联盟,将共同开发HBM4

HBM产品被认为是人工智能(AI)计算的支柱之一,近两年行业发展迅速。在人工智能和高性能计算(HPC)的影响下,推动着存储器厂商的收入增长。作为英伟达高带宽存储器合作伙伴,SK海力士目前在HBM市场的处于领导地位。此前有报道称,SK海力士将在2026年大规模生产HBM4,用于下一代人工智能芯片。

SK海力士宣布2026年量产HBM4,为下一代AI GPU做好准备

HBM产品被认为是人工智能(AI)计算的支柱之一,近两年行业发展迅速。在人工智能和高性能计算的影响下,HBM市场带给了存储器厂商新的希望,以推动收入的巨大增长。作为英伟达高带宽存储器合作伙伴,SK海力士目前在HBM市场的处于领导地位。

SK海力士明年启动HBM4开发,HBM3E也将进入批量生产阶段

虽然今年存储器市场行情低迷,相当部分厂商损失惨重,不过SK海力士却把握住了服务器市场更换DDR5内存及人工智能(AI)爆发的机会,凭借针对性的产品线和市场策略,拿下了不少市场份额。作为英伟达高带宽存储器合作伙伴,SK海力士延续了HBM市场的领导地位,甚至出现了“赢家通吃”的局面。

英伟达2024Q1将完成各原厂HBM3e产品验证,HBM4预计2026年推出

几天前,英伟达公布了2024财年第三财季(截至2023年10月29日)的财报,其中数据中心业务再次成为了亮点,收入为145.1亿美元,远远高于去年同期的38亿美元,也高于市场预期的127亿美元,同比增长324%,环比增长38%。Omdia的统计数据显示,英伟达在2023年第三季度大概售出了50万块A100和H100计算卡。

美光分享未来五年的路线图:HBM4、CXL 2.0和LPCAMM2都在其中

近日,美光推出了基于单颗32Gb芯片的128GB DDR5-8000 RDIMM内存模块。据TomsHardware报道,美光还公布了未来五年的产品路线图,分享了对高性能、高容量存储技术的展望,其中包括了一些过去未曾公开讨论的技术。

三星正在开发HBM4,预计2025年推出

近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长,各大厂商也加大了这方面的投入。目前HBM市场主要由三星、SK海力士和美光三家存储器制造商占有,根据统计机构的数据,SK海力士占据了50%的市场份额,三星以40%紧随其后,剩下的10%被美光所占有。

HBM4设计或会有重大变化,内存堆栈将采用2048位接口

近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长。SK海力士上个月宣布成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E,并开始向客户提供样品进行性能验证。随后美光推出了业界首款带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s、8层垂直堆叠的24GB容量HBM3 Gen2,相比目前出货的HBM3解决方案提高了50%。

台积电准备HBM4基础裸片:将采用N5和N12FFC+工艺制造

上个月,SK海力士宣布与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品,也就是HBM4。据了解,台积电将生产用于HBM4的基础裸片(Base Die),这是双方针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片优化工作的一部分。

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