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关于 HBM4 的消息

三星推进HBM4开发工作:计划采用4nm工艺量产基础裸片

此前有报道称,三星已经成立了新的“HBM开发团队”,将专注于HBM3、HBM3E和下一代HBM4技术的相关开发工作,以提高三星在HBM市场的竞争力。三星早在2015年就在DRAM部门里组建了专门负责HBM产品开发的团队,而这次组织架构的改组进一步做了加强。

JEDEC即将完成HBM4标准制定:每堆栈通道数翻倍,或6.4Gbps速率起步

近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长。三星、SK海力士和美光三家主要存储器制造商都加大了这方面的投入,以加快研发的进度。从去年下半年起,就不断传出有关下一代HBM4的消息。

三星成立新的HBM团队:加速推进HBM3E和HBM4开发工作

近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长。虽然三星是全球最大的存储器制造商,但在HBM产品的开发和销售上却落后于SK海力士。此前有报道称,为了追赶竞争对手,三星另外组建了团队专门负责HBM4项目,与此同时HBM3E的开发和量产工作则由原来的DRAM设计团队负责。

HBM4竞争已经开启:堆叠挑战依然存在,混合键合技术是关键

近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM产品的需求也在迅速增长,三星、SK海力士和美光三家主要存储器制造商都加大了投入。SK海力士作为目前HBM领域的领导者,首次现身COMPUTEX 2024,展示了最新的HBM3E和MR-RUF技术,表示混合键合将在芯片堆叠中发挥至关重要的作用。

SK海力士希望进一步提升HBM4E性能:将集成计算和缓存功能

为应对用于人工智能(AI)的半导体需求的大幅度增长,SK海力士与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作,开发第六代HBM产品,也就是HBM4。随后SK海力士HBM先进技术团队负责人确认,将加快HBM代际更迭周期,从HBM3E开始,由以往的两年变成了一年,HBM4E最早会在2026年出现。

台积电准备HBM4基础裸片:将采用N5和N12FFC+工艺制造

上个月,SK海力士宣布与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品,也就是HBM4。据了解,台积电将生产用于HBM4的基础裸片(Base Die),这是双方针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片优化工作的一部分。

SK海力士加速推进HBM4E:最早或2026年完成开发

为应对用于人工智能(AI)的半导体需求的大幅度增长,此前SK海力士已决定扩充人工智能基础设施的核心产品,即HBM3E等新一代DRAM的生产能力。与此同时,SK海力士还与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作,开发第六代HBM产品,也就是HBM4。

传三星HBM开发采用“双规制”,另建团队专门负责HBM4项目

近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长,各大厂商也加大了这方面的投入。虽然三星是全球最大的存储器制造商,但在HBM产品的开发和销售上却落后于SK海力士,最近正加大投入,以追赶竞争对手。

SK海力士将选择台积电7nm工艺,用于生产HBM4的基础裸片

近日,SK海力士宣布与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品,也就是HBM4,预计在2026年投产。

SK海力士和台积电签署谅解备忘录,在HBM4研发和下一代封装技术上展开合作

SK海力士宣布,已经与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品,也就是HBM4,预计在2026年投产。

三星HBM4计划2025年首次亮相:将有16层堆叠,改用3D封装

近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长,各大厂商也加大了这方面的投入。目前HBM市场主要由三星、SK海力士和美光三家存储器制造商占有,根据统计机构的数据,SK海力士占据了50%的市场份额,三星以40%紧随其后,剩下的10%属于美光。

JEDEC或放宽HBM4高度限制,在现有的键合技术中实现16层堆叠

近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长。从去年下半年起,就不断传出有关下一代HBM4的消息,三星、SK海力士和美光三家主要存储器制造商都加大了这方面的投入,以加快研发的进度。

传SK海力士与台积电组成AI芯片联盟,将共同开发HBM4

HBM产品被认为是人工智能(AI)计算的支柱之一,近两年行业发展迅速。在人工智能和高性能计算(HPC)的影响下,推动着存储器厂商的收入增长。作为英伟达高带宽存储器合作伙伴,SK海力士目前在HBM市场的处于领导地位。此前有报道称,SK海力士将在2026年大规模生产HBM4,用于下一代人工智能芯片。

SK海力士宣布2026年量产HBM4,为下一代AI GPU做好准备

HBM产品被认为是人工智能(AI)计算的支柱之一,近两年行业发展迅速。在人工智能和高性能计算的影响下,HBM市场带给了存储器厂商新的希望,以推动收入的巨大增长。作为英伟达高带宽存储器合作伙伴,SK海力士目前在HBM市场的处于领导地位。

SK海力士明年启动HBM4开发,HBM3E也将进入批量生产阶段

虽然今年存储器市场行情低迷,相当部分厂商损失惨重,不过SK海力士却把握住了服务器市场更换DDR5内存及人工智能(AI)爆发的机会,凭借针对性的产品线和市场策略,拿下了不少市场份额。作为英伟达高带宽存储器合作伙伴,SK海力士延续了HBM市场的领导地位,甚至出现了“赢家通吃”的局面。

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