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SK海力士将选择台积电7nm工艺,用于生产HBM4的基础裸片

SK海力士包括HBM3E(第五代HBM产品)在内的HBM产品,都是基于自身制程工艺制造了基础裸片,但HBM4选择台积电的先进逻辑工艺,以便增加更多的功能。双方还计划将SK海力士的HBM产品和…

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Rambus发布GDDR7控制器IP:面向AI 2.0的内存解决方案

Rambus称,新款GDDR7控制器IP将在下一波AI推理浪潮中提供服务器和客户端所需的突破性内存吞吐量,提供了功能齐全、带宽效率高的解决方案。

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铠侠出样最新一代UFS 4.0闪存芯片:顺序写入速度提升15%,封装尺寸更小

铠侠在今天宣布出样最新一代UFS 4.0闪存芯片,新产品提供256GB、512GB和1TB容量规格,可用于包括高端智能手机在内的下一代移动端应用产品。与上一代UFS 4.0产品相比,新闪存芯片的顺序写入速度提升15%,随机写入速度提升了50%,随机读取速度提升30%,顺序读取速度不变,依旧维持在4640MB/s。

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三星宣布投产第九代V-NAND闪存:存储密度较上代提升了50%

三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存,首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存,新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力,巩固其领导地位。

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三星BAR升级版+国行版U盘上市:读速最高可达400MB/s,售价79.9元起

近日三星正式在京东自营店铺上架了全新的三星BAR升级版+国行版U盘。这是一款采用USB 3.2 Gen1 Type-A接口的高性能便携闪存盘,最高可提供400MB/s的读取速度,写入速度则低于读取速…

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AI产业带动大容量HDD需求,希捷跟进西部数据涨价

据TechNews报道,继西部数据发函通知客户上调NAND闪存和HDD产品的价格后,希捷也于近日通知其合作伙伴,表示将对新订单和额外需求进行涨价,并且此轮涨价将会持续至未来几个季度。

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三星和SK海力士竞争升级:争夺下一代AI半导体市场主导权

在进入人工智能(AI)时代后,两大存储器生产厂商三星和SK海力士的竞争不断升级。双方都在努力通过加快新产品的开发和批量生产,以抢夺市场先机,争夺下一代人工智能半导体市场的主导…

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JEDEC更新DDR5内存标准:引入PRAC方案,速率提升至8800Mbps

在JESD79-5C DDR5 SDRAM标准里,JEDEC固态技术协会引入了一种创新的解决方案来提高DRAM数据完整性,称为PRAC,将根据字行粒度精确计算DRAM激活次数。

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铠侠推出EXCERIA G2极至瞬速SD存储卡:最大可选1TB,支持4K视频拍摄

EXCERIA G2极至瞬速SD存储卡整体尺寸为32.0 x 24.0 x 2.1 mm,重量约为2g,采用了UHS-I接口,提供了100 MB/s的读取速度和50 MB/s的写入速度,支持UHS Speed Class 3(U3)和Video Speed …

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SK海力士和台积电签署谅解备忘录,在HBM4研发和下一代封装技术上展开合作

SK海力士表示:“公司作为AI应用的存储器领域的领先者,与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作,将会继续引领HBM技术创新。通过以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方技术合作的…

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三星HBM4计划2025年首次亮相:将有16层堆叠,改用3D封装

近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长,各大厂商也加大了这方面的投入。

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铠侠连续亏损后再次寻求IPO,最快今年10月在东京上市融资

目前铠侠的多数股权是由私募股权公司贝恩资本牵头的投资者集团持有,传闻已经向交易银行传达了力争IPO的想法。

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十铨科技发布MP44Q M.2 PCIe 4.0 SSD:最大可选4TB,紧随大容量需求趋势

MP44Q SSD为M.2 2280规格,采用了PCIe 4.0 x4接口,支持SLC缓存技术,以低功耗等优势,满足所有文书处理机应用存储,大幅提升工作效率。其搭载了十铨科技独家的超薄石墨烯散热标签贴,…

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三星推出速率达10.7Gbps的LPDDR5X:专为人工智能应用优化

三星电子内存业务内存产品规划执行副总裁YongCheol Bae表示:“随着对低功耗、高性能内存需求的增加,LPDDR DRAM的应用领域有望从主要的移动领域扩展到PC、加速器、服务器和汽车等其…

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美光宣布量产232层QLC NAND闪存,将供应给客户端和数据中心产品

美光表示,这次四层单元的NAND闪存新品是一项突破性的成就,提供了前所未有的层数和密度,可实现比以往NAND闪存更高的存储密度和设计灵活性,并缩短了访问时间。

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科赋发布CRAS C925 PCIe 4.0 M.2 SSD:单面设计,最大2TB,兼容PS5

CRAS C925 SSD为M.2 2280规格,采用了PCIe 4.0 x4接口,支持SLC快取与HMB技术,提升了产品的耐用度和性能稳定性,以满足高强度的存储应用需求。随附的高效铝制散热片,有着很好的降温效…

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SanDisk带来多款大容量存储卡,Extreme PRO 4TB SD卡明年上市

SanDisk表示,新一代SD和microSD Express存储卡产品组合,将以更高的性能表现减少访问和保存数据所需的时间,满足今后应用场景对更快存储解决方案的需求,这些产品包括:。

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美光带来适用于智能手机的LPDDR5X新方案:速率保持9.6Gbps,功耗降低4%

美光表示,在新的LPDDR5X解决方案里,利用了增强型动态电压和频率扩展内核(eDVFSC)和第二代high-k金属栅极(HKMG)技术来提升节电效率,从而显著改善了功耗表现,并能灵活地提供工作…

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受益于SSD价格持续上涨,三星和SK海力士在NAND闪存业务或再盈利

更值得关注的是,除了SSD,现在HDD的价格也在不断上涨。虽然HDD比起SSD速度更慢、发热量更高、噪音也更大,但是在相同容量下,价格会更便宜,而且发生故障时更容易恢复数据,在部分细…

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三星下个月带来第9代290层V-NAND闪存,明年会有第10代430层产品

传闻首款采用第9代V-NAND技术的是1Tb(128GB)QLC 3D NAND闪存芯片,存储密度达到了28.5Gb mm2,将高于目前业界最高的长江存储产品,后者的存储密度为20.62Gb mm2。

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