美光在新加坡现有Fab 10N晶圆厂，每月产能约为14万片等效晶圆，这次投资新建的是Fab 10X晶圆厂，主要生产第二代3D NAND闪存，建成后每月产能还是大约14万片等效晶圆，不过之后就是3D NAND闪存了，因此总产能更大，在未来的几年里可支撑每年bit容量增长40-50%。

此次投资总额约为40亿美元，整个项目要到2017财年也就是2016年Q4季度才能完成，其中2015财年先期投资为5亿美元。

美光的Fab 10X工厂主要是生产第二代的3D NAND闪存，根据Intel之前所说，二代3D NAND闪存最高可以堆叠32层NAND，die核心容量则高达256Gb，这样就能达到1TB容量，如果是TLC闪存，die容量则可以达到384Gb，2mm厚度下就能实现1TB的容量，也就是一张SD卡的大小就有TB+的容量。

美光的3D NAND闪存路线图

在美光的路线图上，平面的16nm工艺之后他们就会100%专注于3D NAND闪存，2015年底首先会在消费级市场推出3D NAND闪存的固态硬盘，不过这个应该是第一代3D NAND的，堆叠层数为16层，比三星的V-NAND略低。

　　目前东芝在3D NAND闪存上的研究处于领先地位，去年底他们宣布使用p-BiCS（pipe-shaped Bit Cost Scalable）技术在一个50nm宽的垂直通道上集成了16层NAND单元，今年开始出样，2015年量产，东芝的p-BiCS技术将晶体管以U形排列。

　　目前3D堆栈NAND还不够成熟，而且现有的2D NAND还未到极限，目前的主流是20nm，预计还有15nm、10nm的制程工艺可供升级，3D堆栈工艺可能在15nm节点出现。

　　此外，Esfarjani表示目前16层的3D NAND在成本上还不能显示出成本优势，需要64层堆栈，至少也要达到32层的水平才行。

　　IMFT在20nm工艺节点使用了浮栅高K金属栅极Cell结构（floating-gate high-K metal gate）取代了34nm及25nm工艺使用的环绕式Cell结构（wrap-around），2012年时IMFT就展示过了128Gbit容量的NAND闪存，美光的M500 SSD固态硬盘使用的就是128Gbit的NAND。