在半导体业界，Intel、三星及TSMC三足鼎立，虽然他们在先进的制程工艺上竞争激烈，但实际上三方的直接竞争并不多，Intel的处理器基本是自产自销，三星跟TSMC在代工上有竞争，但是TSMC一家占据全球60%的代工份额，三星半导体更重要的是NAND、DRAM闪存。早前TSMC表态不会进入NAND、DRAM等标准型存储芯片市场，但不代表他们不做存储芯片，最近他们公开了研发多年的eMRAM及eRRAM存储芯片，最近今年底就开始试产，未来一两年量产。
以TSMC全球最大最先进的半导体代工厂地位，他们要是做NAND闪存芯片的话.....这个问题不止一个人关心过，早前还有传闻称TSMC参与竞标东芝NAND业务，但是TSMC官方对此事的表态倒是很理性，联席CEO魏哲家早前就明确了他们不会做标准型存储芯片，也就是说大众化的NAND闪存、DRAM内存不是他们的重点。
不过不做标准型存储芯片不代表他们不做存储芯片，TSMC搞的只是新型存储芯片，比如MRAM磁阻式随机存储芯片、RRAM电阻式随机存储芯片等等。TSMC据传早在2000年就跟台湾工研院合作开发此类芯片，但是新一代存储芯片喊了多年了，目前依然没能走出实验室阶段，商业化还远着呢。
TSMC技术长孙元成最近在TSMC技术论坛大会上首次透露了他们研发的eMRAM、eRRAM等存储芯片的进展，前缀的e表示这两种芯片是针对嵌入式市场看法的，它们主要用于IoT物联网、汽车电子、高性能电脑、智能汽车等市场。
根据台经济日报整理的数据，TSMC的eMRAM芯片将使用28nm工艺制造，预计在2018年底试产。eRRAM芯片则使用40/22nm工艺生产，今年底试产，2019年量产。
搞MRAM芯片的代工厂实际上也不止TSMC一家，三星早前宣布4nm工艺时也提到了会针对物联网市场推出28nm
FD-SOI工艺，也会生产eMRAM存储芯片。Globalfoundries早前公布的22FDX工艺也同样针对低功耗的物联网市场，也会推进eMRAM芯片研发生产。
国内的中芯国际也针对下一代存储芯片布局了，今年初他们宣布已经出样40nm工艺的ReRAM芯片，这种芯片密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，单芯片（200mm2左右）即可实现TB级存储，还具备结构简单、易于制造等优点。
目前NAND、DRAM发展的如火如荼，MRAM、RRAM等新一代芯片不过是小荷才露尖尖角，大规模商业化还很远，但是发展前景被人看好，未来的存储芯片同时具备RAM和闪存技术的优点，性能更强而且数据不会丢失，大家要想了解更多信息，可以加小超哥（id:9501417）微信咨询。
