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      ARM表示现时三星正在研发的14纳米FinFET技术将能提升处理器性能和降低能耗,不过这种技术仍存在一些要解决的问题。

      ARM的高管介绍,他们的合作伙伴通过DVFS(动态电压和频率定标)技术去设计SoC,提升了其性能并降低负载。14纳米FinFET技术更低的工作电压扩大了在低档和过载条件下的电压范围。ARM Big.Little架构可以在中低程度的工作负载下令高端产品性能变得更高,更有效率。

      X-bit labs认为,面对英特尔和AMD这样的对手,该技术能带来更大的竞争力,不过要设计这种复杂的芯片,设计师还要克服很多困难。

      现今为了制造出高性能,低能耗的SoC,设计师常常通过EDA去设计产品,例如门控时钟、电源门控、Multi-Vt、Multi-VDD,满足DVFS和AVS的要求。在14纳米FinFET上需要确保使用这样的技术和新理念能提高产品的功率,设计师还要考虑到市场的需求和时效性这些因素。

      今年早些时候ARM承诺通过高级生产技术可以把处理器的主核心提升到16个或是32个,达到更高性能和在同一时间内运行更多的APP。更小的核心尺寸、新的晶体管构筑技术、材料、刻蚀技术都会继续推动该领域的发展,

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    已有 5 条评论,共 5 人参与。
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    • 游客  2013-04-24 00:39

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      5#

    • 游客  2013-04-23 21:19

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      4#

    • 游客  2013-04-23 19:07

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      3#

    • 游客  2013-04-23 19:05

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      2#

    • 游客  2013-04-23 15:32

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      1#

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